中自科技股份有限公司张婧宇获国家专利权
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龙图腾网获悉中自科技股份有限公司申请的专利一种核壳结构硅基负极材料及其制备方法、锂离子电池获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119994039B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510183553.3，技术领域涉及：H01M4/36；该发明授权一种核壳结构硅基负极材料及其制备方法、锂离子电池是由张婧宇;冯锡;张雅荣;王金凤;王云;李云;陈启章设计研发完成，并于2025-02-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种核壳结构硅基负极材料及其制备方法、锂离子电池在说明书摘要公布了：本发明公开了一种核壳结构硅基负极材料及其制备方法、锂离子电池，制备方法包括1在硅颗粒表面沉积非晶氧化硅层，获得第一产物；2利用碳源与生物质碳源联合将第一产物包覆后煅烧，获得第二产物；3在第二产物外层沉积碳层，得到核壳结构碳包覆的硅纳米颗粒；4将核壳结构碳包覆的硅纳米颗粒与碳源分散混合后，真空干燥、焙烧、破碎、筛分，即得核壳结构硅基负极材料；步骤1与步骤3中的沉积均为LPCVD沉积。本发明通过对硅表面均匀包覆改性，并构建良好的离子通路，形成了包覆均匀、体积膨胀小、离子传输能力强的综合性能良好的硅基负极材料。
本发明授权一种核壳结构硅基负极材料及其制备方法、锂离子电池在权利要求书中公布了：1.一种核壳结构硅基负极材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 1在硅颗粒表面沉积非晶氧化硅层，获得第一产物； 2利用碳源1与生物质碳源联合将第一产物包覆后煅烧，获得第二产物； 3在第二产物外层沉积碳层，得到核壳结构碳包覆的硅纳米颗粒； 4将核壳结构碳包覆的硅纳米颗粒与碳源2分散混合后，真空干燥、焙烧、破碎、筛分，即得核壳结构硅基负极材料； 所述步骤1与步骤3中的沉积均为LPCVD沉积； 所述碳源1为由醌类单体和胺类单体形成的醌胺预聚体，所述生物质碳源为生物质碳纤维素； 步骤2中煅烧时的温度为300-800℃，煅烧后研磨破碎，得第二产物； 步骤4中焙烧温度为800-1200℃，焙烧时间为1-3h； 步骤4中采用的碳源2为天然石墨、人造石墨、中间相碳微球中的任意一种； 所述步骤2中的煅烧与步骤4中的焙烧均在氮气保护下进行。
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