哈尔滨工业大学孙湛获国家专利权
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龙图腾网获悉哈尔滨工业大学申请的专利一种基于纳米银纸实现低温、低压连接方钴矿与金属电极的方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119973264B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202510210806.1,技术领域涉及:B23K1/00;该发明授权一种基于纳米银纸实现低温、低压连接方钴矿与金属电极的方法是由孙湛;潘辉;张丽霞;张博;常青;耿慧远设计研发完成,并于2025-02-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于纳米银纸实现低温、低压连接方钴矿与金属电极的方法在说明书摘要公布了:一种基于纳米银纸实现低温、低压连接方钴矿与金属电极的方法,涉及异种材料连接技术领域。本发明的目的是为了解决现有方钴矿与金属电极的连接温度过高,导致界面化学反应严重而降低接头的连接强度以及增加界面的接触电阻和接触热阻,进而导致热电器件的转换效率低的问题。本发明通过控制纳米银纸连接温度、保温时间和烧结压力,可有效控制烧结银组织结构,进而控制接头组织和性能;相比于常用的钎焊和扩散焊法,焊接温度低,焊接压力小;相比于纳米银膏烧结,烧结质量高,成本较低。本发明可获得一种基于纳米银纸实现低温、低压连接方钴矿与金属电极的方法。
本发明授权一种基于纳米银纸实现低温、低压连接方钴矿与金属电极的方法在权利要求书中公布了:1.一种基于纳米银纸实现低温、低压连接方钴矿与金属电极的方法,其特征在于该连接方法按以下步骤进行: 步骤S1、制备待焊方钴矿热电材料: 将方钴矿热电材料粉末依次与元素阻挡层和焊接过渡层进行一步烧结连接,得到带有阻挡层和过渡层的方钴矿块体;将方钴矿块体进行切割,然后将方钴矿块体的待焊面依次进行打磨、抛光、超声清洗和吹干,得到待焊方钴矿热电材料; 步骤S2、制备待焊金属电极: 将金属电极的待焊面依次进行打磨、抛光、超声清洗和吹干,得到待焊金属电极; 所述的元素阻挡层为Fe80V20合金层;所述的焊接过渡层为Cu金属层;所述的金属电极为Cu电极; 步骤S3、连接待焊方钴矿热电材料与待焊金属电极: 将待焊纳米银纸置于步骤S1中得到的待焊方钴矿热电材料与步骤S2中得到的待焊金属电极之间进行装配,得到待焊连接件;将待焊连接件在真空环境下升温至400~550℃,并在400~550℃的温度条件下保温5~60min;保温结束后降至室温,完成基于纳米银纸实现低温、低压连接方钴矿与金属电极; 纳米银线进行抽滤—烘干,得到待焊纳米银纸; 步骤S3中真空度为5×10-3~10×10-3Pa,待焊连接件焊接的压力为2.5~20MPa,升温速率为5~30℃min,降温速率为5~30℃min。
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