西安电子科技大学陶鸿昌获国家专利权
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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利金刚石纳米柱结构的深紫外发光二极管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119836064B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510064068.4，技术领域涉及：H10H20/816；该发明授权金刚石纳米柱结构的深紫外发光二极管及其制备方法是由陶鸿昌;荣晓燃;许晟瑞;张涛;苏华科;高源;刘旭;王心颢;朱家铎;谢磊;郝跃设计研发完成，并于2025-01-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本金刚石纳米柱结构的深紫外发光二极管及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及金刚石纳米柱结构的深紫外发光二极管及其制备方法，该深紫外发光二极管包括：自上而下依次堆叠的衬底层、成核层、n型GaN层、n型有源区、电子阻挡层和p型区；p型区包括若干个间隔设置的金刚石纳米柱，每个金刚石纳米柱的至少部分表面形成有氢终端；在n型GaN层的下表面还设置有N型电极，N型电极与n型有源区间隔设置；在p型区的下表面还设置有P型电极，N型电极的底部与P型电极的底部齐平；在N型电极和P型电极的下表面设置有基板。该装置可以大大提高深紫外发光二极管的发光效率，以及更好发挥器件散热性能，提高器件使用性能。
本发明授权金刚石纳米柱结构的深紫外发光二极管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种金刚石纳米柱结构的深紫外发光二极管，其特征在于，包括：依次堆叠的衬底层1、成核层2、n型GaN层3、n型有源区4、电子阻挡层5和p型区6；所述p型区6包括若干个间隔设置的金刚石纳米柱，每个金刚石纳米柱的至少部分表面形成有氢终端； 在所述n型GaN层3的设置有n型有源区4的一侧还设置有N型电极7，所述N型电极7与所述n型有源区4间隔设置； 在所述p型区6远离所述电子阻挡层5的一侧的部分表面还设置有P型电极8； 在所述N型电极7的远离所述n型GaN层3的一侧与所述P型电极8的远离所述p型区6的一侧设置有基板9。
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