重庆邮电大学;中国科学院重庆绿色智能技术研究院申钧获国家专利权
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龙图腾网获悉重庆邮电大学;中国科学院重庆绿色智能技术研究院申请的专利图形化衬底的表面选择性生长硫化铅薄膜的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119698108B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411872310.2，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权图形化衬底的表面选择性生长硫化铅薄膜的制备方法是由申钧;马睿;冷重钱;杨冬设计研发完成，并于2024-12-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本图形化衬底的表面选择性生长硫化铅薄膜的制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种图形化衬底的表面选择性生长硫化铅薄膜的制备方法，包括如下步骤：1将图形化衬底置于氧化剂溶液中进行表面改性；2在图形化衬底的表面旋涂光刻胶，无掩模曝光和去胶，循环多次；3将表面预处理的图形化衬底放入生长硫化铅薄膜的前驱体溶液中，进行化学沉积反应，即可。本发明所提供的制备方法，通过对衬底表面进行简单处理便可实现在含金属图形的衬底上选择性生长硫化铅薄膜，而无需改变沉积溶液的配比或条件，避免了后续芯片制造过程中复杂且昂贵的外延层减薄、刻蚀等工序；该制备方法克服了化学水浴法生长硫化铅薄膜时只能对整片同时进行薄膜生长的缺陷，极大简化了工艺流程，提高了探测器制备的成功率和良率。
本发明授权图形化衬底的表面选择性生长硫化铅薄膜的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种图形化衬底的表面选择性生长硫化铅薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤： 1将图形化衬底置于氧化剂溶液中进行表面改性，得到表面改性后的图形化衬底； 2在图形化衬底的表面旋涂光刻胶，无掩模曝光和去胶，循环多次，得到表面预处理的图形化衬底； 3将步骤2得到的表面预处理的图形化衬底放入生长硫化铅薄膜的前驱体溶液中，进行化学沉积反应，得到图形化衬底的表面选择性生长硫化铅薄膜材料，其中所述图形化衬底通过如下制备方法获得：采用磁控溅射的方法在SiSiO2衬底表面沉积5-15nm铬和50-150nm金，然后利用光刻剥离工艺在SiSiO2衬底的局部区域留下金属层，即得图形化衬底；所述氧化剂为质量比为7:3的过氧化氢和浓硫酸的混合物；以及步骤2中所述旋涂光刻胶为：对所述图形化衬底表面旋涂两层光刻胶，第一层光刻胶为剥离胶；第二层光刻胶为紫外胶。
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