珠海市赛纬电子材料股份有限公司李雷获国家专利权
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龙图腾网获悉珠海市赛纬电子材料股份有限公司申请的专利咪唑类两性离子化合物及其制备方法，及电池中的应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119613341B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411797599.6，技术领域涉及：C07D233/61；该发明授权咪唑类两性离子化合物及其制备方法，及电池中的应用是由李雷;毛冲;王霹霹;莫德欢;戴晓兵设计研发完成，并于2024-12-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本咪唑类两性离子化合物及其制备方法，及电池中的应用在说明书摘要公布了：本发明提供了一种咪唑类两性离子化合物及其制备方法，及电池中的应用。咪唑类两性离子化合物的结构式如式一所示，R1为卤素、芳香基或卤素取代的芳香基，R2、R3、R4和R5各自独立地选自为H、卤素、CN、NO2、NH2、OH、COOH、SO2F、C1～C4的烃基、卤素取代的C1～C4的烃基。咪唑类两性离子化合物的制备方法包括步骤：将式二所示的化合物和第一溶剂混合形成第一溶液；将第一溶液和第二溶液滴加混合并进行反应得初级产物，第二溶液为如式三所示的磺酸异氰酸酯类化合物和第一溶剂的混合溶液；将初级产物进行净化、干燥。咪唑类两性离子化合物作为一种新物质，兼具了离子液体和磺酰亚胺基团二者的优点，具有良好的应用前景，可应用于二次电池中。
本发明授权咪唑类两性离子化合物及其制备方法，及电池中的应用在权利要求书中公布了：1.一种咪唑类两性离子化合物，其特征在于，结构式如式一所示，R1为卤素，R2、R3、R4和R5各自独立地选自为H、卤素、CN、NO2、NH2、OH、COOH、SOF、C～C的烷基、卤素取代的C～C的烷基，
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