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龙图腾网获悉国电投新能源科技有限公司申请的专利异质结太阳电池金属化栅线的制备方法及其装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119584693B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411834986.2，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权异质结太阳电池金属化栅线的制备方法及其装置是由宿世超;刘刚;李世岚;田宏波;王伟;胡海文设计研发完成，并于2024-12-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本异质结太阳电池金属化栅线的制备方法及其装置在说明书摘要公布了：本发明涉及异质结太阳电池的栅线制备技术领域，尤其是涉及一种异质结太阳电池金属化栅线的制备方法及其装置，具体包括在单晶硅片的正面和背面制绒，形成金字塔绒面结构；对制绒后的硅片进行清洗，形成洁净的表面状态；在清洗后的硅片正面和背面分别沉积硅薄膜，然后再依次沉积透明导电氧化层薄膜和金属层薄膜；在制备金属层薄膜后的硅片正面和背面铺设铜线作为栅线电极，将制备好栅线电极的硅片放置于氧化性酸溶液中，得到正面和背面不同图形栅线电极的异质结太阳电池片，本发明通过成本低的铜金属替代昂贵的银浆料，不仅成本降低70%以上，同时不需要用到电镀设备也不会产生废水，没有增加额外设备投资，具有极大的量产前景。

本发明授权异质结太阳电池金属化栅线的制备方法及其装置在权利要求书中公布了：1.一种异质结太阳电池金属化栅线的制备方法，其特征在于，包括如下步骤： 步骤S1，在单晶硅片的正面和背面制绒，形成金字塔绒面结构； 步骤S2，对制绒后的硅片进行清洗，去除硅片表面的金属杂质污染，最后用氢氟酸对硅片表面进行表面氧化层去除操作，形成洁净的表面状态； 步骤S3，在清洗后的硅片正面和背面分别沉积硅薄膜：在硅片的正面依次沉积一层本征非晶硅层和掺杂非晶硅层或者微晶硅薄膜；在硅片的背面依次沉积一层本征非晶硅层和掺杂非晶硅层或者微晶硅薄膜； 步骤S4，在沉积非晶硅层后的硅片正面采用物理气相沉积法依次沉积一层透明导电氧化层薄膜和一层金属层薄膜； 步骤S5，在沉积非晶硅层后的硅片背面采用物理气相沉积法依次沉积一层透明导电氧化层薄膜和一层金属层薄膜； 步骤S6，在制备金属层薄膜后的硅片正面铺设铜线作为正面细栅电极，然后在垂直于细栅电极的方向铺设5根至20根相同铜线为正面主栅电极，采用模具对硅片表面铜线施加压力和温度，在压力和温度双重作用下使铜线表面的锡层和硅片表面的金属层相互融化焊接在一起形成欧姆接触以降低接触电阻； 步骤S7，在制备金属层后的硅片背面铺设铜线作为背面细栅电极，然后在垂直于细栅电极的方向铺设5根至20根相同铜线作为背面主栅电极，采用模具对硅片表面铜线施加压力和温度，在压力和温度的双重作用下使铜线表面的锡层和硅片表面的金属层相互融化焊接在一起形成欧姆接触以降低接触电阻； 步骤S8，将制备好正面和背面栅线电极的硅片放置于氧化性酸溶液中，将栅线以外的金属层腐蚀干净，形成完整的带有正面和背面不同图形栅线电极的异质结太阳电池片，完成异质结太阳电池金属化栅线的制备过程。

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