浙江大学周恺元获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉浙江大学申请的专利一种奥斯特磁场辅助的SOT-MRAM单元及其写入电压的调控方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119580787B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411613949.9，技术领域涉及：G11C11/16；该发明授权一种奥斯特磁场辅助的SOT-MRAM单元及其写入电压的调控方法是由周恺元;卓成设计研发完成，并于2024-11-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种奥斯特磁场辅助的SOT-MRAM单元及其写入电压的调控方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种奥斯特磁场辅助SOT‑MRAM单元及其写入电压的调控方法，其结构包括第一PMOS管、第二PMOS管、SOT器件，第一PMOS管的栅极连接第一字线WL，源极连接SOT器件的读取通道，漏极连接到位线BL；第二PMOS管的栅极连接第二字线WWL，漏极连接到位线BL，源极连接至SOT器件的写入通道，SOT器件的写入通道另一端连接到源线SL；SOT器件正下方设置电流线和磁传感器，且电流线位于所述SOT器件和磁传感器之间；通过在电流线中施加电流产生奥斯特磁场。本发明在写入过程中通过可控磁场使不同器件翻转概率集中在同一个电压附近，以减小写入误差，避免过冲，减少损耗。
本发明授权一种奥斯特磁场辅助的SOT-MRAM单元及其写入电压的调控方法在权利要求书中公布了：1.一种奥斯特磁场辅助的SOT-MRAM单元，包括第一PMOS管1、第二PMOS管2、SOT器件3，其特征在于，所述第一PMOS管1的栅极连接第一字线WL4，源极连接SOT器件3的读取通道31，漏极连接到位线BL5；所述第二PMOS管2的栅极连接第二字线WWL6，漏极连接到位线BL5，源极连接至所述SOT器件3的写入通道32，所述SOT器件3的写入通道32另一端连接到源线SL7；所述SOT器件3正下方设置电流线8和磁传感器9，且所述电流线8位于所述SOT器件3和磁传感器9之间；通过在所述电流线8中施加电流产生奥斯特磁场； 所述电流线8为第二字线WWL6，所述磁传感器9位于所述第二字线WWL6下方，且所述第二字线WWL6连接电阻R后与所述第二PMOS管2的栅极连接。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人浙江大学，其通讯地址为：310058 浙江省杭州市西湖区余杭塘路866号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励