北京大学王宗巍获国家专利权
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龙图腾网获悉北京大学申请的专利基于1S1R结构的自选择存储器及其制备方法、设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119384214B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411419563.4，技术领域涉及：H10N70/00；该发明授权基于1S1R结构的自选择存储器及其制备方法、设备是由王宗巍;杨高琦;蔡一茂;黄如设计研发完成，并于2024-10-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于1S1R结构的自选择存储器及其制备方法、设备在说明书摘要公布了：本公开涉及一种基于1S1R结构的自选择存储器及其制备方法、设备，在选通层和阻变层之间增设中间层，中间层的热导率小于阻变层的热导率，中间层设于阻变层与选通层之间，能够阻碍选通层的热量向阻变层传递，能够提高选通层的温升速率，以使选通层快速上升到开启温度，能够降低自选择存储器的选通层的开启电压，自选择存储器实现自选择存储；同时，中间层能够提高选通层的热稳定性，延缓选通层温度降低，降低自选择存储器整体的写入电压和读取电压；还能避免选通层和阻变层的材料相互扩散导致自选择存储器的性能劣化，提高了自选择存储器的可靠性和性能稳定性。
本发明授权基于1S1R结构的自选择存储器及其制备方法、设备在权利要求书中公布了：1.一种基于1S1R结构的自选择存储器，其特征在于，包括依次层叠在衬底上的第一功能层、中间层和第二功能层，所述第二功能层通过所述中间层与所述第一功能层隔开，所述第一功能层与第一电极连接，所述第二功能层与第二电极连接； 所述第一功能层与所述第二功能层两者之一为选通层，两者另一为阻变层；所述中间层的热导率小于所述阻变层的热导率；所述中间层靠近所述阻变层一侧的热导率小于所述中间层靠近所述选通层一侧的热导率； 所述选通层的热导率为0.3Wm·K-1.5Wm·K；所述阻变层的热导率为2.2Wm·K-5Wm·K； 所述中间层的热导率为0.2Wm·K-2Wm·K；所述中间层的电导率10-7Sm-10-2Sm； 所述中间层的材料包括无定形碳、碳化硅、碳化碲、碳硫化碲、硫化钼、硫化钨、碲化钼、氧化铟镓锌、铟铝锌氧化物、锡掺杂氧化铟、碲化锰、碲化钨、锌掺杂氧化铟中的至少一种。
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