晶科能源股份有限公司;浙江晶科能源有限公司王文睿获国家专利权
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龙图腾网获悉晶科能源股份有限公司;浙江晶科能源有限公司申请的专利电池制备方法及电池结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119384080B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411586776.6，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权电池制备方法及电池结构是由王文睿;张晓攀;于琨;赵丹;邱圆圆;黄纪德;刘长明;张昕宇;金浩设计研发完成，并于2024-11-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本电池制备方法及电池结构在说明书摘要公布了：本申请涉及一种电池制备方法及电池结构。电池制备方法包括如下步骤：提供N型硅基底；于N型硅基底的背面形成间隔设置的第一钝化接触结构和第二钝化接触结构，以获得第一形态体；对第一形态体进行制绒，在制绒过程的烘干工序中通入湿臭氧或湿氧气，以于第一形态体的正面和背面形成氧化硅形式的第一钝化膜；于第一钝化膜远离N型硅基底的一侧形成电极组件。通过上述设置以完成电池的制备，且通过在制绒钝化工序中的烘干步骤中通入湿臭氧或湿氧气以在第一形态体的正面和背面形成氧化硅形式的第一钝化膜，有效降低制绒后N型硅基底的表面缺陷密度，增强N型硅基底的表面钝化效果，进而得到更高的电池转换效率。
本发明授权电池制备方法及电池结构在权利要求书中公布了：1.一种电池制备方法，其特征在于，所述电池制备方法包括如下步骤： 提供N型硅基底； 于所述N型硅基底的背面形成间隔设置的第一钝化接触结构和第二钝化接触结构，以获得第一形态体； 对所述第一形态体进行制绒，在制绒过程的烘干工序中通入湿臭氧或湿氧气，以于所述第一形态体的正面和背面形成氧化硅形式的第一钝化膜； 于所述第一钝化膜远离所述N型硅基底的一侧形成电极组件； 所述湿臭氧或所述湿氧气中的湿度占比为30%-70%； 第一钝化膜的厚度范围在0.01nm-1nm之间。
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