清华大学李荐民获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉清华大学申请的专利背照式光电二极管结构及制备方法、X射线探测器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119384049B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411425325.4，技术领域涉及：H10F30/221；该发明授权背照式光电二极管结构及制备方法、X射线探测器是由李荐民;陈志强;李元景;张丽;李玉兰设计研发完成，并于2024-10-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本背照式光电二极管结构及制备方法、X射线探测器在说明书摘要公布了：本申请公开了一种背照式光电二极管结构及制备方法、X射线探测器，属于核技术应用中的半导体光电传感器领域。所述背照式光电二极管结构包括：外延层，包括位于所述外延层的非感光侧的电极区；第一介质层，位于所述外延层的非感光侧；电极及引线，位于所述第一介质层背离所述外延层的一侧，并贯穿所述第一介质层与所述电极区连接；键合层，位于所述电极及引线背离所述第一介质层的一侧，且覆盖所述电极及引线；载片，与所述键合层背离所述电极及引线的一侧相键合；硅通孔结构，贯穿所述载片和所述键合层，并与所述电极及引线连接。本申请能够降低破片风险，适用于大尺寸CMOS工艺线，提高生产效率，且降低成本，实现周侧可拼接。
本发明授权背照式光电二极管结构及制备方法、X射线探测器在权利要求书中公布了：1.一种背照式光电二极管结构的制备方法，其特征在于，包括： 提供基底、第一介质层和电极及引线，所述基底包括外延层，所述外延层包括位于所述外延层的非感光侧的电极区，所述第一介质层位于所述外延层的非感光侧，所述电极及引线位于所述第一介质层背离所述外延层的一侧，并贯穿所述第一介质层与所述电极区连接；所述电极区包括横向间隔设置的第一高掺杂区和第二高掺杂区，所述第一高掺杂区与所述外延层的掺杂类型相反，所述第二高掺杂区与所述外延层的掺杂类型相同； 在所述电极及引线背离所述第一介质层的一侧形成键合层，且所述键合层覆盖所述电极及引线； 将载片与所述键合层背离所述电极及引线的一侧相键合； 对所述基底背离所述第一介质层的一侧进行减薄处理； 形成贯穿所述载片和所述键合层的硅通孔结构，且所述硅通孔结构与所述电极及引线连接。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人清华大学，其通讯地址为：100084 北京市海淀区清华园1号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励