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哈尔滨工业大学赵亚敏获国家专利权

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龙图腾网获悉哈尔滨工业大学申请的专利基于多组垂直磁化空间永磁阵列的大型精密隔微振阻尼器获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119267481B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202411528381.0,技术领域涉及:F16F6/00;该发明授权基于多组垂直磁化空间永磁阵列的大型精密隔微振阻尼器是由赵亚敏;崔俊宁;邹丽敏;韩明;赵京东设计研发完成,并于2024-10-30向国家知识产权局提交的专利申请。

基于多组垂直磁化空间永磁阵列的大型精密隔微振阻尼器在说明书摘要公布了:基于多组垂直磁化空间永磁阵列的大型精密隔微振阻尼器属于精密隔振技术领域,内磁阵列与外磁阵列利用四列由多层阵列排布、相邻层间垂直磁化的等横截面立方永磁体在导体板周围形成了高磁密励磁磁场,当导体板相对内磁阵列、外磁阵列运动时,激发出强涡流效应从而产生高阻尼特性。垂直磁化空间永磁阵列的设计增强了磁通变化量与涡流密度,大幅提升了阻尼力,加速了振动能量的衰减效率,为大型超精密制造、尖端科研实验等领域提供了强有力的技术支持,确保了高端装备的稳定性。

本发明授权基于多组垂直磁化空间永磁阵列的大型精密隔微振阻尼器在权利要求书中公布了:1.基于多组垂直磁化空间永磁阵列的大型精密隔微振阻尼器,可产生足以提升百吨级以上大型精密隔微振阻尼参数的强涡流效应,将振动能量以热能的形式耗散,从而对低频微幅振动干扰进行有效隔离;其特征在于包括负载平台8、大型气浮隔微振器10与垂直磁化空间永磁阵列9,大型气浮隔微振器10与垂直磁化空间永磁阵列9并联支撑负载平台8;所述大型气浮隔微振器10包括上盖板11、弹性膜12、气罐13与压缩气体7,上盖板11与负载平台8固定连接,与弹性膜12、气罐13构成密闭气室,密闭气室内通入压缩气体7;所述垂直磁化空间永磁阵列9包括内磁阵列2、内磁阵列安装件3、内磁阵列盖板14、外磁阵列4、外磁阵列固定件5与导体板6,整体结构不仅关于中心对称,同时在前后、左右两个方向上也呈轴对称;内磁阵列安装件3、导体板6与外磁阵列固定件5的中心线与对称轴均重合,并由中心线向外依次等间隙排布;内磁阵列安装件3为倒T形截面的立方体结构,其底部与地面1固定连接、顶端与负载平台8设有间隙;导体板6为回字形横截面的立方体结构,其顶端与负载平台8固定连接、底部与地面1设有间隙;外磁阵列固定件5为回字形横截面的立方体结构,其四个内侧面设置相同尺寸的立方体深槽;内磁阵列2与外磁阵列4均包含四列永磁体,每列永磁体由4n层阵列排布、相邻层间垂直磁化的等横截面立方永磁体构成,其中,n≥1,n∈N+,且奇数层永磁体的高度均相等,偶数层永磁体的高度均相等;内磁阵列2的四列永磁体分别固定安装在内磁阵列安装件3的四个侧面,并通过内磁阵列盖板14压紧固定;内磁阵列盖板14为回字形横截面的立方体结构,按照中心线与对称轴均重合的方式套装在导体板6上;外磁阵列4的四列永磁体分别固定安装在外磁阵列固定件5四个内侧面的深槽内;内磁阵列2与外磁阵列4的第一层立方永磁体沿水平方向同向磁化,在正剖面视图的右半侧,每增加一层,内永磁体的磁化方向顺时针旋转90°,外永磁体的磁化方向逆时针旋转90°。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人哈尔滨工业大学,其通讯地址为:150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。

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