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龙图腾网获悉上海华力集成电路制造有限公司申请的专利存储器结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119233641B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411622753.6，技术领域涉及：H10B41/35；该发明授权存储器结构及其制造方法是由陈昊瑜;刘政红;黄冠群;齐瑞生设计研发完成，并于2024-11-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本存储器结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种存储器结构及其制造方法。该方法包括以下步骤：提供半导体基底，半导体基底上形成存储区堆叠结构，相邻两个存储区堆叠结构之间形成间隔区；制作覆盖在存储区堆叠结构侧壁上的栅间隔离层和覆盖在半导体基底上的选择栅氧化层；在选择栅氧化层上制作形成选择栅多晶硅，选择栅多晶硅位于远离间隔区的存储区堆叠结构的一侧；沉积形成第一层间介质层，存储区堆叠结构和选择栅多晶硅位于第一层间介质层中；刻蚀去除存储区堆叠结构中的控制栅多晶硅形成容置腔；向容置腔中填充金属形成金属栅；沉积形成第二层间介质层，第二层间介质层覆盖金属栅和第一层间介质层。

本发明授权存储器结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种存储器结构的制造方法，其特征在于，所述存储器结构的制造方法包括以下步骤： 提供半导体基底，所述半导体基底上形成存储区堆叠结构，相邻两个所述存储区堆叠结构之间形成间隔区； 制作覆盖在所述存储区堆叠结构侧壁上的栅间隔离层和覆盖在半导体基底上的选择栅氧化层； 在所述选择栅氧化层上制作形成选择栅多晶硅，所述选择栅多晶硅位于远离所述间隔区的所述存储区堆叠结构的一侧；包括：在所述选择栅氧化层上沉积选择栅多晶硅，所述选择栅多晶硅包裹所述存储区堆叠结构；在所述选择栅多晶硅上沉积形成选择栅掩膜层；对带有所述选择栅掩膜层的选择栅多晶硅进行第一次自对准干法刻蚀，纵向去除所述选择栅掩膜层并减薄所述选择栅多晶硅，使得剩余所述选择栅多晶硅在纵向上与所述存储区堆叠结构齐平；通过湿法刻蚀去除剩余覆盖在所述选择栅多晶硅侧面的选择栅掩膜层；对剩余的选择栅多晶硅进行第二次自对准干法刻蚀，在纵向上减薄所述选择栅多晶硅，使得剩余所述选择栅多晶硅在纵向上的高度低于与所述存储区堆叠结构；去除位于所述间隔区位置处的选择栅多晶硅，剩余的选择栅多晶硅位于远离所述间隔区的所述存储区堆叠结构的侧壁位置处； 沉积形成第一层间介质层，所述存储区堆叠结构和所述选择栅多晶硅位于所述第一层间介质层中； 刻蚀去除所述存储区堆叠结构中的控制栅多晶硅形成容置腔； 向所述容置腔中填充金属形成金属栅； 沉积形成第二层间介质层，所述第二层间介质层覆盖所述金属栅和所述第一层间介质层。

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