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龙图腾网获悉西华师范大学申请的专利一种基于近场扫描的ANN芯片电流故障预测算法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119199471B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411251597.7，技术领域涉及：G01R31/28；该发明授权一种基于近场扫描的ANN芯片电流故障预测算法是由肖何;邓利平;邹海洋;易志强设计研发完成，并于2024-09-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于近场扫描的ANN芯片电流故障预测算法在说明书摘要公布了：本发明涉及电流故障预测技术领域，具体为一种基于近场扫描的ANN芯片电流故障预测算法，该ANN芯片电流故障预测算法基于近场扫描系统实现，其特征在于，所述ANN芯片电流故障预测算法包括以下步骤：白盒测试和分析模型、电流估计原理、构建并训练人工神经网络模型以及进行故障检测应用，本发明的电流估计方法应用于供电网络的故障检测中，通过解决二次规划问题从而估计出该供电网络的电流分布，分别获取电流流动方向、导线电流幅值和过孔电流幅值，存在缺陷的估计电流分布的差异，通过检测同轴通孔缺陷和线路发生开路处电流幅度的显著下降的位置，通过本发明可以明确地检测到同轴通孔或电路中存在的开路问题。

本发明授权一种基于近场扫描的ANN芯片电流故障预测算法在权利要求书中公布了：1.一种基于近场扫描的ANN芯片电流故障预测算法，该ANN芯片电流故障预测算法基于近场扫描系统实现，其特征在于，所述ANN芯片电流故障预测算法包括以下步骤： S1.白盒测试和分析模型：准备已知结构的被测物，包括开盖和封装的样品，使用近场扫描系统获取被测物表面电磁干扰云图信息，通过场强分量估计器件表面电流； S2.电流估计原理：基于毕奥-萨伐尔定律，计算电流段在测点产生的磁场，通过法拉第电磁感应定律计算感应电动势，进而计算磁场，建立磁场矩阵与电流段矩阵的关系，通过测量数据求解电流分布； S3.构建并训练人工神经网络模型：构建输入层、隐藏层、输出层，相邻层神经元完全连接，使用训练集优化参数，验证集避免过拟合，测试集测试初步结果，通过ANN预测场强分量，进而估计电流分布； S4.进行故障检测应用：在被测物供电网络注入测试电流，诱导磁场干扰发射，应用电流估计方法检测供电网络的电流分布，通过检测电流幅度的显著下降位置，定位同轴通孔缺陷或开路问题。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人西华师范大学，其通讯地址为：637002 四川省南充市顺庆区师大路1号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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