南京大学陆显扬获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾,真高效! 查专利查商标用IPTOP,全免费!专利年费监控用IP管家,真方便!
龙图腾网获悉南京大学申请的专利一种高效产生高度圆偏振EUV光的四镜反射式移相器获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119087662B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202410984741.1,技术领域涉及:G02B26/06;该发明授权一种高效产生高度圆偏振EUV光的四镜反射式移相器是由陆显扬;王心悦;徐永兵;黎遥;何亮;刘波设计研发完成,并于2024-07-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高效产生高度圆偏振EUV光的四镜反射式移相器在说明书摘要公布了:本发明公开了一种高效产生高度圆偏振EUV光的四镜反射式移相器,极深紫外EUV光谱范围内的圆偏振光是对手性敏感的光与物质相互作用进行元素特异性研究的有力工具,为实现飞秒级动态磁二色向性的测量提供了可能。本发明提出采用直流磁控溅射技术,在高真空环境下,通过优化溅射参数组合,制备出MoB4C薄膜样品。这种薄膜样品能够更有效地满足极深紫外光四镜反射式移相器反射镜多层膜的需求。利用此方法所制备的薄膜,不仅性质稳定、分界层面清晰,而且具有极低的粗糙度和较高的反射率。
本发明授权一种高效产生高度圆偏振EUV光的四镜反射式移相器在权利要求书中公布了:1.一种产生高度圆偏振EUV光的四镜反射式移相器,其特征在于:采取直流磁控溅射方法在凹面聚焦镜上生长MoB4C薄膜,将其用于四镜反射式移相器的反射镜,四面反射镜安装在支架上,置在超高真空腔中,配置真空精密驱动系统; 采取直流磁控溅射方法在凹面聚焦镜上生长MoB4C薄膜,直流磁控溅射腔室的背景真空度为10-7Torr量级,靶材为纯度高于99.95%的高纯Mo靶材和B4C靶材,Mo,B4C均由高能Ar+轰击进行溅射,通过控制切换Mo和B4C源顶端的挡板来实现Mo层和B4C层的交替生长,圆偏振度高于90%。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人南京大学,其通讯地址为:210033 江苏省南京市栖霞区仙林大道163号南京大学仙林校区;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息,力求客观、公正,但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解,仅供参考使用,不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议,有机会获取IP积分或其他奖励