华东师范大学朱晓龙获国家专利权
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龙图腾网获悉华东师范大学申请的专利一种利用超表面调控量子点空间发光调制器件的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119024473B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411147736.1，技术领域涉及：G02B5/00；该发明授权一种利用超表面调控量子点空间发光调制器件的制备方法是由朱晓龙;田元设计研发完成，并于2024-08-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种利用超表面调控量子点空间发光调制器件的制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种利用超表面调控量子点空间发光调制器件的制备方法，其特点是通过调整单元结构的周期结构和量子点的属性，让周期结构中的等离激元模式与量子点的光致发光模式相匹配，并通过量子点的光致发光调控，实现不同波段的聚焦和涡旋相位，使其能够对不同的圆偏振光具有响应。本发明与现有技术相比具有通过在金属表面加工具有不同排布角度的椭圆纳米孔洞单元结构实现对调控波段的选择，无需改变镀膜厚度和其他参数，重复性和稳定性好的优势，并通过对量子点的光致发光调控来实现不同波段的发光聚焦和涡旋光，在空间光调控和光通信等领域具有潜在应用前景。
本发明授权一种利用超表面调控量子点空间发光调制器件的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种利用超表面调控量子点空间发光调制器件的制备方法，其特征在于，通过调整单元结构的周期结构和量子点的属性，让周期结构中的等离激元模式与量子点的光致发光模式相匹配，并通过量子点的光致发光调控，实现不同波段的聚焦和涡旋相位，该方法具体包括以下步骤： 步骤1：薄膜的制备 在石英衬底上制备一层厚度为400～600纳米的Al薄膜； 步骤2：聚焦离子束的第一次加工 对沉积在衬底上的Al薄膜进行第一次聚焦离子束加工，在镀有Al膜的SiO2基底上形成纳米孔洞阵列，得到具有椭圆形纳米孔洞阵列的单元结构； 步骤3：聚焦离子束的第二次加工 对上述制备的椭圆形纳米孔洞阵列结构进行第二次聚焦离子束加工，得到具有不同排布角度孔洞结构的超表面结构； 步骤4：量子点旋涂 将上述制备的超表面结构采用量子点旋涂，通过量子点的光致发光调控，实现不同波段的聚焦和涡旋相位，得到多波长的量子点空间发光调制器件。
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