载元产业株式会社沈成元获国家专利权
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龙图腾网获悉载元产业株式会社申请的专利用于半导体清洗工艺的高纯度的异丙醇的纯化方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117024249B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310392094.0，技术领域涉及：C07C29/74；该发明授权用于半导体清洗工艺的高纯度的异丙醇的纯化方法是由沈成元;孙炳基;林融;崔焕;申仑秀;金民煐;崔态岐设计研发完成，并于2023-04-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于半导体清洗工艺的高纯度的异丙醇的纯化方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种用于半导体清洗工艺的高纯度异丙醇的纯化方法，其包括在通过吸附工艺去除异丙醇中的二丙酮醇之后，借助于蒸馏工艺来去除二丙酮醇、硼酸三异丙酯及金属杂质的步骤。
本发明授权用于半导体清洗工艺的高纯度的异丙醇的纯化方法在权利要求书中公布了：1.一种异丙醇的纯化方法，其特征在于， 在通过吸附工艺完全去除异丙醇中的二丙酮醇之后，借助于蒸馏工艺来完全去除所生成的二丙酮醇，并将硼酸三异丙酯及金属杂质的含量降低为在半导体清洗工艺中所要求的水准； 所述吸附工艺包括通过步骤，所述通过步骤使所述异丙醇在通过3A或4A的分子筛之后，连续通过10X或13X的分子筛； 所述蒸馏工艺包括1次蒸馏工艺及2次蒸馏工艺，所述1次蒸馏工艺去除沸点比异丙醇低的杂质，所述2次蒸馏工艺蒸馏所述1次蒸馏工艺的下部流，以下部流去除沸点比异丙醇高的所述二丙酮醇、三异丙基硼化合物及金属杂质，并在上部获得纯化的异丙醇； 在所述1次及2次蒸馏工艺期间，将蒸馏温度维持在82℃以下，在进行所述2次蒸馏工艺时，回流比维持1.5以上； 所述方法还包括清洗步骤，所述清洗步骤为了在所述吸附工艺之前，使所述分子筛维持在pH6.5至7.5，以水分在10ppm以下的异丙醇进行清洗。
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