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龙图腾网获悉华中科技大学申请的专利一种基于转置DRAM单元的存内计算电路和装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116483773B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310370224.0，技术领域涉及：G06F15/78；该发明授权一种基于转置DRAM单元的存内计算电路和装置是由王超;赵元声;沈梓煊;许家瑞设计研发完成，并于2023-04-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于转置DRAM单元的存内计算电路和装置在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于转置DRAM单元的存内计算电路和装置，属于集成电路技术领域。存内计算电路包括：N行N列DRAM单元构成存储器阵列、N个转置使能开关组和N个灵敏放大器SA电路；同一列上的DRAM单元共享同一条写字线WWL和列读字线Col‑RWL；同一行上的DRAM单元共享同一条写位线WBL和列读位线Col‑RBL；在转置的使用模式下，Col‑RWL被重命名为行读位线Row‑RBL，Col‑RBL被重命名为行读字线Row‑RWL。基于DRAM单元的存内计算装置包括：控制器、外围计算电路和存内计算电路，用于深度神经网络中全连接层和卷积层两种关键网络结构的存内计算硬件实现，填补了基于DRAM电路阵列实现矩阵原位转置的技术空白，支持片上训练过程中的权重复用和并行计算。

本发明授权一种基于转置DRAM单元的存内计算电路和装置在权利要求书中公布了：1.一种基于转置DRAM单元的存内计算电路，其特征在于，包括： 存储器阵列，包括N行N列转置动态随机存取内存DRAM单元；同一列上的所有DRAM单元共享同一条写字线WWL和列读字线Col-RWL；同一行上的所有DRAM单元共享同一条写位线WBL和列读位线Col-RBL；在N列WWL的控制下，N行N列的1-bit数据通过N行WBL写入N行N列DRAM单元；在非转置的常规读出模式下，通过Col-RWL向存储器阵列输入读出控制信号，或，输入一组计算数据，通过Col-RBL输出所述存储器阵列中一列的存储结果，或，输出所述存储器阵列中一列的计算结果；在转置的读出模式下，Col-RWL被重命名为行读位线Row-RBL，Col-RBL被重命名为行读字线Row-RWL，通过Row-RWL输入读出控制信号，或，输入另一组计算数据，通过Row-RBL输出所述存储器阵列中一行的存储结果，或，输出所述存储器阵列中一行的计算结果； N个转置使能开关组，其中，第i个所述转置使能开关组设有与第i行Col-RBL又名Row-RWL连接的第一端、与第i列Col-RWL又名Row-RBL连接的第二端、转置使能信号TEN输入的控制端、与第i个全局读字线GRWL连接的第三端，和与第i个全局读位线GRBL连接的第四端，1≤i≤N；N个所述转置使能开关组根据控制端的输入信号将所述第一端和所述第二端的输入选通至第三端和第四端，通过GRWL输入读出控制信号，从而使所述GRBL输出所述存储器阵列中一列或一行的存储结果，或，输出所述存储器阵列中一列或一行的计算结果，同一行或列上的所有单元可以并行输出存储或计算结果； N个灵敏放大器SA电路，与N个所述转置使能开关组的GRBL一一对应连接，用于将输入数据与读参考电平的差值进行放大输出，得到所述存储器阵列对应行或列上存储数据或计算结果的电压水平。

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