深圳市矩阵多元科技有限公司胡小波获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳市矩阵多元科技有限公司申请的专利封装结构制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116130370B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310216520.5，技术领域涉及：H01L21/56；该发明授权封装结构制造方法是由胡小波;张晓军;姜鹭;陈志强;方安安;杨登亮设计研发完成，并于2023-02-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本封装结构制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种封装结构制造方法，其中封装结构制造方法在承载基板上设置氢化非晶硅层和可溶粘接层，封装步骤完成后，先使用激光照射氢化非晶硅层，使氢化非晶硅层中键能较弱的Si‑H键吸收能量发生断裂，大量游离氢溢出，产生氢爆现象，从而在氢化非晶硅层和可溶粘接层之间形成大量空隙，而后使用剥离液浸泡封装单元，剥离液能够进入氢化非晶硅层和可溶粘接层之间的空隙中，剥离液与可溶粘接层的接触面积变大，因此可溶粘接层能够更快地溶解在剥离液中，使封装结构与承载基板更快地分离，从而能够提高生产效率。
本发明授权封装结构制造方法在权利要求书中公布了：1.封装结构制造方法，其特征在于，包括步骤： 准备承载基板； 在所述承载基板的一侧表面覆盖氢化非晶硅层； 在所述氢化非晶硅层远离所述承载基板的一侧覆盖可溶粘接层； 在所述可溶粘接层远离所述氢化非晶硅层的一侧进行封装步骤，以在所述可溶粘接层远离所述氢化非晶硅层的一侧形成多个相互连接的封装结构； 使用激光照射所述承载基板远离所述氢化非晶硅层的一侧，使所述氢化非晶硅层和所述可溶粘接层之间产生空隙； 对多个相互连接的封装结构与所述承载基板、所述氢化非晶硅层、所述可溶粘接层的组合体进行分割，形成多个相互分离的封装单元，每一所述封装单元均包括一个所述封装结构； 将所述封装单元置入剥离液中，使所述可溶粘接层溶解于所述剥离液，以使所述封装结构脱离所述承载基板。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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