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龙图腾网获悉中国科学院声学研究所申请的专利一种微硅球形腔的加工方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116130351B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211488961.2，技术领域涉及：H01L21/308；该发明授权一种微硅球形腔的加工方法是由遆金铭;李俊红;樊青青;余卿;邓威;汪承灏设计研发完成，并于2022-11-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种微硅球形腔的加工方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种微硅球形腔的加工方法，该方法包括：在硅片待图形化的一面依次进行沉积刻蚀掩膜、光刻、去除部分刻蚀掩膜、去胶和深反应离子刻蚀的处理；经湿法刻蚀得到微硅球形腔；并对实时采集的图像预处理后依次输入刻蚀圆检测模块以及预先建立和训练好的粗糙度预测模型和刻蚀深度预测模型，得到当前刻蚀状态下微硅球形腔的俯视、截面图像以及刻蚀相关预测值；将刻蚀相关预测值与预期指标进行比较，若未达到预期指标，调整湿法刻蚀相关工艺参数，继续进行湿法刻蚀；若满足预期指标则停止刻蚀，得到符合预期指标的微硅球形腔；刻蚀圆检测模块基于Hough圆检测算法，粗糙度预测模型采用BP神经网络，刻蚀深度预测模型采用卷积神经网络。

本发明授权一种微硅球形腔的加工方法在权利要求书中公布了：1.一种微硅球形腔的加工方法，所述方法包括： 步骤1在硅片待图形化的一面依次进行沉积刻蚀掩膜、光刻、去除部分刻蚀掩膜、去胶和深反应离子刻蚀的处理； 步骤2采用湿法化学刻蚀液对硅片进行各向同性湿法腐蚀，得到微硅球形腔； 步骤3在湿法腐蚀中对微硅球形腔进行实时图像采集； 步骤4对采集的图像进行预处理，并依次输入刻蚀圆检测模块以及预先建立和训练好的粗糙度预测模型和刻蚀深度预测模型，得到当前刻蚀状态下微硅球形腔的俯视图像、截面图像以及刻蚀相关预测值； 步骤5将刻蚀相关预测值与预期指标进行比较，若未达到预期指标，调整湿法刻蚀相关工艺参数，转至步骤2；若满足预期指标则停止刻蚀，得到符合预期指标的微硅球形腔； 所述步骤4的刻蚀相关预测值包括：当前刻蚀状态下微硅球形腔的纵向与横向刻蚀深度、球形度、表面粗糙度和刻蚀半径；其中，所述球形度和刻蚀半径经Hough圆检测算法提取、计算得到；所述表面粗糙度根据微硅球形腔的俯视图像计算得到；所述纵向与横向刻蚀深度根据微硅球形腔的截面图像计算得到。

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