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龙图腾网获悉北京市科学技术研究院申请的专利一种制备陶瓷基覆铜板的装置及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116121696B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211727318.0，技术领域涉及：C23C14/02；该发明授权一种制备陶瓷基覆铜板的装置及方法是由请求不公布姓名;请求不公布姓名;请求不公布姓名;请求不公布姓名设计研发完成，并于2022-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种制备陶瓷基覆铜板的装置及方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种制备陶瓷基覆铜板的装置及方法，属于陶瓷基板技术领域。本发明提供的装置利用考夫曼离子源设备实现陶瓷基板表面微还原，利用高能离子束设备实现金属元素注入，使陶瓷基体与注入金属原子形成陶瓷‑金属混合层，同时利用低能离子束设备形成过渡层，所述陶瓷‑金属混合层与陶瓷基底层及过渡层的结合力好，从而提高陶瓷基板与后续高脉冲低能离子束设备沉积形成的铜膜层的结合力，增强铜膜层的抗剥离强度。本发明提供的装置能够解决传统覆铜技术无法同时满足陶瓷基覆铜板的高致密超薄覆铜层、高剥离强度以及低界面粗糙度的问题，满足高频要求的陶瓷基覆铜板。

本发明授权一种制备陶瓷基覆铜板的装置及方法在权利要求书中公布了：1.一种利用制备陶瓷基覆铜板的装置制备陶瓷基覆铜板的方法，包括以下步骤： 采用考夫曼气体离子源设备102对置于真空室101中的陶瓷基板进行表面还原，得到第一处理陶瓷基板；所述表面还原的氩气流量为20~80sccm，氢气流量为0~40sccm，电压为20~40KV，束流强度为1~50mA，处理时间为20~60min；进行所述表面还原后，所述陶瓷基板的表面粗糙度变化≤0.1μm； 采用高能离子束设备103在所述第一处理陶瓷基板表面注入金属，进行接键，得到第二处理陶瓷基板；所述接键的束流强度为10~100mA，能量为10~40keV，注入剂量为1×1015~1017ionscm2；所述注入金属所用金属元素包括Ti、Al、Ni、Cr或Cu； 采用低能离子束设备104对所述第二处理陶瓷基板进行第一表面沉积，形成过渡层；所述过渡层的元素为Ni和或Cr； 采用高脉冲低能离子束设备105在所述过渡层上进行第二表面沉积，形成铜层，得到陶瓷基覆铜板； 所述制备陶瓷基覆铜板的装置，具体为真空室101；考夫曼气体离子源设备102，用于对陶瓷基板表面进行断键和微还原；高能离子束设备103，用于实现金属元素注入和接键，使陶瓷基体与注入金属原子形成陶瓷-金属混合层；低能离子束设备104，用于形成过渡层；以及，高脉冲低能离子束设备105，用于沉积形成铜膜层；所述考夫曼气体离子源设备102、高能离子束设备103、低能离子束设备104和高脉冲低能离子束设备105分别分布于所述真空室101的四个端部。

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