遨天科技(北京)有限公司王红霞获国家专利权
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龙图腾网获悉遨天科技(北京)有限公司申请的专利一种大面积等离子体产生装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116113131B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310015631.X，技术领域涉及：H05H1/24；该发明授权一种大面积等离子体产生装置是由王红霞;刘同波设计研发完成，并于2023-01-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种大面积等离子体产生装置在说明书摘要公布了：本申请公开了一种大面积等离子体产生装置，包括：壳体4，其一端设置有进气口，另一端设置有排气口；绝缘介质管2，设置在腔体内，其壁面上间隔设置有多级微孔结构3和高压电极环1，绝缘介质管2将腔体分隔成第一子腔和第二子腔，其中第一子腔与进气口联通，第二子腔与排气口联通，第一子腔与第二子腔基于多级微孔结构3联通；接地电极管5，金属，内贴于绝缘介质管2设置，对应于多级微孔结构3设置有多级网状孔，基于接地电极管5形成排气口，且排气口的规格满足待处理对象可伸入。本申请实施例通过气道设计以及高压电极环与接地电极管之间形成电场，产生低温等离子体，可以处理长度接近于接地电极管长度的三维物体，处理面积大，处理效率高。
本发明授权一种大面积等离子体产生装置在权利要求书中公布了：1.一种大面积等离子体产生装置，其特征在于，包括： 壳体4，内有腔体，具有相对的两端，其中一端设置有进气口，以接入工作气体，另一端设置有排气口，用以排气； 绝缘介质管2，设置在所述腔体内，其壁面上间隔设置有多级微孔结构3和高压电极环1，所述绝缘介质管2将所述腔体分隔成第一子腔和第二子腔，其中所述第一子腔与所述进气口联通，所述第二子腔与所述排气口联通，所述第一子腔与所述第二子腔基于多级所述微孔结构3联通，多级微孔结构3的孔径随着距离所述进气口的距离越远孔径逐渐增大； 接地电极管5，金属，内贴于所述绝缘介质管2设置，对应于多级所述微孔结构3设置有多级网状孔，基于所述接地电极管5形成所述排气口，且所述排气口的规格满足待处理对象可伸入。
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