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龙图腾网获悉武汉光谷量子技术有限公司申请的专利一种防止信号串扰的焦平面阵列器件及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116111002B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211597903.3，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权一种防止信号串扰的焦平面阵列器件及其制作方法是由曾磊;杨简遥;张舟;熊祎灵;彭旭设计研发完成，并于2022-12-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种防止信号串扰的焦平面阵列器件及其制作方法在说明书摘要公布了：本申请涉及一种防止信号串扰的焦平面阵列器件及其制作方法，包括如下步骤：在衬底表面制作依次包括第一接触层、吸收层、第二接触层、腐蚀停刻层的外延层；刻蚀外延层以形成焦平面阵列台面；焦平面阵列台面表面制备钝化膜；刻蚀去除焦平面阵列台面底部的钝化膜；然后在底部和侧壁沉积金属电极层；依次进行In柱制作、读出电路安装和胶体填充；去除衬底和腐蚀停刻层；刻蚀底部的第二接触层，裸露出金属电极层；在第二接触层表面制作增透膜；在裸露的金属电极层表面制作背电极。本申请通过台面侧壁生长金属电极层及利用刻蚀背面接触层的方式，将屏蔽现有深台面阵列器件存在的两种串扰路径，从而达到进一步抑制焦平面阵列像元之间信号串扰的目的。

本发明授权一种防止信号串扰的焦平面阵列器件及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种防止信号串扰的焦平面阵列器件的制作方法，其特征在于，包括如下步骤： 在衬底1的表面制作外延层2，外延层2由上至下依次包括第一接触层201、吸收层202、第二接触层203、腐蚀停刻层204； 刻蚀外延层2的表面，以形成焦平面阵列台面3； 在焦平面阵列台面3的表面制备钝化膜4； 刻蚀，以去除焦平面阵列台面3底部的钝化膜4； 在焦平面阵列台面3的底部和侧壁沉积金属电极层5； 在焦平面阵列台面3的顶部制备In柱6，在In柱6的表面连接读出电路7； 在读出电路7与外延层2之间填充胶体8； 去除衬底1和腐蚀停刻层204； 刻蚀焦平面阵列台面3底部的第二接触层203，以裸露出金属电极层5； 在第二接触层203的表面制作增透膜9，所述增透膜9设有金属电极层露出孔； 在裸露的金属电极层5表面制作背电极10； 其中，所述焦平面阵列台面3包括若干凸台301，相邻两个凸台301之间具有隔离槽302，所述隔离槽302的深度到达第二接触层203内。

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