中国科学院半导体研究所张兴旺获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院半导体研究所申请的专利六方氮化硼异质结构的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116103609B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111335874.9，技术领域涉及：C23C14/06；该发明授权六方氮化硼异质结构的制备方法是由张兴旺;陈镜壬;王高凯;尹志岗;吴金良设计研发完成，并于2021-11-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本六方氮化硼异质结构的制备方法在说明书摘要公布了：本公开提供了一种六方氮化硼异质结构的制备方法，包括：S1，对介质衬底进行升温操作，并向沉积腔室通入氨气；S2，离子源溅射氮化硼靶材，得到的氮、硼原子沉积至介质衬底上生长；S3，降温得到六方氮化硼异质结构。本公开的制备方法通过辅助气路通入氨气确保六方氮化硼的理想化学计量比以及实现低温六方氮化硼的生长；且实现了介质衬底上六方氮化硼的直接生长，避免了转移过程，也避免了在较高生长温度下介质衬底原始性质改变例如金刚石发生石墨化转变，对六方氮化硼金刚石异质结构的电子、光电子学应用有着十分重要的意义。
本发明授权六方氮化硼异质结构的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种六方氮化硼异质结构的制备方法，其特征在于，包括： S1，将介质衬底升温至500℃~1000℃，并向沉积腔室通入氨气； S2，离子源溅射氮化硼靶材，得到的氮、硼原子沉积至所述介质衬底上生长； 所述S2包括： 减小所述向沉积腔室通入氨气的流量； 向离子源中通入氩气，所述离子源电离所述氩气产生氩离子束； 其中，所述离子源溅射的工作电压为800V~1500V； 所述氩离子束的离子束流密度为0.1mAcm2~0.4mAcm2； S3，降温得到六方氮化硼异质结构。
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