长鑫存储技术有限公司郭帅获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116033735B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111231509.3，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构及其制作方法是由郭帅设计研发完成，并于2021-10-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制作方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种半导体结构及其制作方法，涉及半导体技术领域，用于解决半导体结构的性能较差技术问题，该半导体结构的制作方法包括：提供衬底；在衬底上形成多个间隔设置的叠层结构，叠层结构包括依次层叠设置的第一导电层、绝缘层和第二导电层，第一导电层和第二导电层中的至少一个为半金属层；形成覆盖叠层结构的沟道层，以及覆盖沟道层的介质层；形成沿第一方向延伸的字线，字线包括多个接触部和连接相邻的接触部的连接部，接触部环绕且接触介质层的侧表面，接触部与至少部分绝缘层相对。通过设置半金属层，可以降低叠层结构与其他结构的接触电阻，以及叠层结构内部的接触电阻，从而提高半导体结构的性能。
本发明授权半导体结构及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括： 提供衬底； 在所述衬底上形成多个间隔设置的叠层结构，所述叠层结构包括依次层叠设置的第一导电层、绝缘层和第二导电层，所述第一导电层和所述第二导电层中的至少一个为半金属层； 形成覆盖所述叠层结构的沟道层，以及覆盖所述沟道层的介质层； 形成沿第一方向延伸的字线，所述字线包括多个接触部和连接相邻的所述接触部的连接部，所述接触部环绕且接触所述介质层的侧表面，所述接触部与至少部分所述绝缘层相对。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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