长江存储科技有限责任公司张坤获国家专利权
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龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利三维存储器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116017985B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111215388.3，技术领域涉及：H10B43/27；该发明授权三维存储器及其制备方法是由张坤;周文犀;薛磊设计研发完成，并于2021-10-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本三维存储器及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种三维存储器及制备方法。制备方法包括：在复合衬底上限定的第一区域内形成外围高压电路，并采用第一填充层覆盖第一区域；在复合衬底和第一填充层上形成叠层结构；去除叠层结构位于与第一区域相邻的边界区中的部分，以形成暴露出复合衬底的凹槽，并采用绝缘介质填充层填充凹槽；以及在叠层结构位于填充后的凹槽远离外围电路的一侧的部分中形成沟道结构和台阶结构。通过本申请提供的制备方法，将外围高压电路与三维存储阵列形成在同一衬底的同一平面上，可在不影响三维存储器结构性能的前提下，有效缩小外围电路晶圆的尺寸，提高三维存储器的存储密度。
本发明授权三维存储器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种制备三维存储器的方法，其特征在于，所述方法包括： 在复合衬底的表面限定的第一区域内形成外围电路，并采用第一填充层覆盖所述第一区域； 在所述复合衬底表面和所述第一填充层上形成叠层结构； 去除所述叠层结构位于与所述第一区域相邻的边界区中的部分，以形成暴露出所述复合衬底的凹槽，并采用绝缘介质填充层填充所述凹槽；以及 在所述叠层结构位于填充后的所述凹槽远离所述外围电路的一侧的部分中形成沟道结构和台阶结构。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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