中国科学院上海光学精密机械研究所赵元安获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院上海光学精密机械研究所申请的专利基于像素取向的多层液晶光存储堆叠结构、及其信息写入与读取方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115841834B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211598282.0，技术领域涉及：G11C13/04；该发明授权基于像素取向的多层液晶光存储堆叠结构、及其信息写入与读取方法是由赵元安;莫之畅;欧少忠;王焜;王建国;刘晓凤;邵建达设计研发完成，并于2022-12-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于像素取向的多层液晶光存储堆叠结构、及其信息写入与读取方法在说明书摘要公布了：一种基于像素取向的多层液晶光存储堆叠结构、及其信息写入与读取方法，可根据读取光、信息图案设计并制备像素化的液晶取向区域，并根据逆向设计的原理，将多层取向层堆叠形成透明的液晶光存储器，通过偏振片和显微镜配合读取信息图案。本发明利用光的偏振信息进行信息存储，对可见光、红外等波段的读取光在传输阶段光能损失小；堆叠层数远大于传统的光存储技术，在空间利用率上有数量级的提升；且便于封装，材料的耐高温、耐酸碱等性能高于普通光存储使用的光盘，利于长久使用。
本发明授权基于像素取向的多层液晶光存储堆叠结构、及其信息写入与读取方法在权利要求书中公布了：1.一种基于像素取向的多层液晶光存储堆叠结构，包括透明基底，其特征在于，在该透明基底上制备有像素排布的第一光取向层、像素排布的聚合物液晶层、像素排布的第二光取向层、像素排布的聚合物液晶层、…、像素排布的第n光取向层和聚合物液晶层； 入射光矩阵则所述的第一液晶层的某一像素出射光矩阵满足如下公式： 所述的第二液晶层某一像素的出射光矩阵满足如下公式： 所述的第n液晶层某一像素的出射光矩阵满足如下公式： 式中，θ-θn为每层液晶分子取向角，δ为相位延迟量，Δn为液晶双折射率，d为液晶层厚度。
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