索泰克公司I·伯特兰获国家专利权
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龙图腾网获悉索泰克公司申请的专利用于SOI结构的载体衬底和相关联的生产方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115769349B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180045761.7，技术领域涉及：H01L21/322；该发明授权用于SOI结构的载体衬底和相关联的生产方法是由I·伯特兰;F·阿利伯特;R·布韦龙;W·施瓦岑贝格设计研发完成，并于2021-03-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于SOI结构的载体衬底和相关联的生产方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种由单晶硅制成的载体衬底10，载体衬底10具有正面10a和背面10b，并且包括：‑从正面10a延伸到800nm至2微米之间的深度并具有通过基于暗场反射显微镜的表面检查而检测到的少于10个晶体原生颗粒COP的表面区域1，‑从正面10a延伸到几微米至40微米之间的深度并具有低于或等于7.5E17Oicm3的间隙氧Oi含量和高于500ohm.cm的电阻率的上部区域2，以及‑在上部区域2与背面10b之间延伸并具有高于或等于1E8cm3的微缺陷BMD密度的下部区域3。本发明还涉及一种用于制造这种载体衬底10的方法。
本发明授权用于SOI结构的载体衬底和相关联的生产方法在权利要求书中公布了：1.一种由单晶硅制成的载体衬底10，所述载体衬底10具有正面10a和背面10b，并且包括： -从所述正面10a向下到800nm至2微米之间的深度的表面区域1，所述表面区域1具有通过使用暗场显微镜检查表面而检测到的少于10个晶体原生颗粒COP， -从所述正面10a向下延伸到几微米至40微米之间的深度的上部区域2，所述上部区域2具有低于或等于7.5E17Oicm3的间隙氧Oi含量和高于500ohm.cm的电阻率，其中，所述上部区域2的深度大于2微米，以及 -在所述上部区域2与所述背面10b之间延伸的下部区域3，所述下部区域3具有高于或等于1E8cm3的微缺陷BMD密度。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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