长江存储科技有限责任公司高庭庭获国家专利权
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龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利三维存储器及其制备方法、存储器系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115768124B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211428937.X，技术领域涉及：H10B43/35；该发明授权三维存储器及其制备方法、存储器系统是由高庭庭设计研发完成，并于2022-11-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本三维存储器及其制备方法、存储器系统在说明书摘要公布了：本申请实施方式提供了一种三维存储器及其制造方法、存储器系统。三维存储器包括：半导体层；堆叠结构，位于半导体层一侧；沟道结构，在垂直于半导体层的方向上贯穿堆叠结构，并且在垂直于半导体层的同一平面内，沟道结构在堆叠结构远离半导体层的表面处的截面尺寸大于其在堆叠结构靠近半导体层的表面处的截面尺寸；以及栅线缝隙结构，在垂直于半导体层的方向上穿过堆叠结构，并在平行于半导体层的方向上延伸，在垂直于延伸方向的平面内，至少部分栅线缝隙结构在堆叠结构远离半导体层的表面处的截面尺寸小于其在堆叠结构靠近半导体层的表面处的截面尺寸。
本发明授权三维存储器及其制备方法、存储器系统在权利要求书中公布了：1.三维存储器，其特征在于，包括： 半导体层； 堆叠结构，位于所述半导体层一侧； 沟道结构，在垂直于所述半导体层的方向上贯穿所述堆叠结构，并且在垂直于所述半导体层的同一平面内，所述沟道结构在所述堆叠结构远离所述半导体层的表面处的截面尺寸大于其在所述堆叠结构靠近所述半导体层的表面处的截面尺寸；以及 栅线缝隙结构，在垂直于所述半导体层的方向上穿过所述堆叠结构，并在平行于所述半导体层的方向上延伸，在垂直于所述延伸方向的同一平面内，至少部分所述栅线缝隙结构在所述堆叠结构远离所述半导体层的表面处的截面尺寸小于其在所述堆叠结构靠近所述半导体层的表面处的截面尺寸。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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