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英利能源发展有限公司王子谦获国家专利权

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龙图腾网获悉英利能源发展有限公司申请的专利一种无遮光钝化接触MWT电池的制备方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115602754B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202211090939.2,技术领域涉及:H10F71/00;该发明授权一种无遮光钝化接触MWT电池的制备方法是由王子谦;孟庆超;翟金叶;张伟;郞芳;徐卓;王红芳;马红娜;赵学玲;潘明翠;王平;张文辉;李锋;史金超设计研发完成,并于2022-09-07向国家知识产权局提交的专利申请。

一种无遮光钝化接触MWT电池的制备方法在说明书摘要公布了:本发明提供了一种无遮光钝化接触MWT电池的制备方法,属于太阳能电池技术领域,包括以下步骤;N型硅片双面制绒、背光面抛光;背光面制备第一隧穿氧化层及掺磷多晶硅层,掺磷多晶硅层外表面制备一层磷硅层;在背光面设置多个预设区域,并去除预设区域上的磷硅玻璃层、掺磷多晶硅层及第一隧穿氧化层,在预设区域上制备贯穿硅片的通孔;在背光面及通孔内壁制备第二隧穿氧化层及本征多晶硅层;对硅片实行硼扩散工艺处理;对硅片化学清洗;在硅片双面沉积钝化减反层;在背光面和通孔内丝网印刷金属栅线;烘干、烧结。本发明提供的一种无遮光钝化接触MWT电池的制备方法,简化了生产工艺步骤,降低了生产成本。

本发明授权一种无遮光钝化接触MWT电池的制备方法在权利要求书中公布了:1.一种无遮光钝化接触MWT电池的制备方法,其特征在于,包括以下步骤: 步骤一:N型硅片双面制绒、背光面抛光; 步骤二:在所述背光面制备第一隧穿氧化层及掺磷多晶硅层,并在所述掺磷多晶硅层外表面制备一层磷硅玻璃层; 步骤三:在所述背光面设置多个预设区域,并去除所述预设区域上的所述磷硅玻璃层、所述掺磷多晶硅层及所述第一隧穿氧化层,并在所述预设区域内制备贯穿所述硅片的通孔; 步骤四:在所述背光面及所述通孔内壁制备第二隧穿氧化层及本征多晶硅层; 步骤五:对所述硅片实行硼扩散工艺处理,在所述背光面形成一层硼磷共掺多晶硅层; 步骤六:采用碱性药液对所述硅片化学清洗及刻蚀,去除所述硼磷共掺多晶硅层,在所述背光面形成绝缘区域; 步骤七:在所述硅片双面沉积钝化减反层; 步骤八:在所述背光面和所述通孔内丝网印刷金属栅线; 步骤九:烘干、烧结。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人英利能源发展有限公司,其通讯地址为:071051 河北省保定市朝阳北大街3399号5号厂房227室;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。

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