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龙图腾网获悉湖南静芯微电子技术有限公司申请的专利低触发高维持电压的双向可控硅静电防护器件及制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115602677B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110774825.9，技术领域涉及：H10D89/60；该发明授权低触发高维持电压的双向可控硅静电防护器件及制作方法是由董鹏;关文杰;汪洋;金湘亮;李幸;骆生辉设计研发完成，并于2021-07-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本低触发高维持电压的双向可控硅静电防护器件及制作方法在说明书摘要公布了：本发明实施例提供一种低触发高维持电压的双向可控硅静电防护器件及制作方法，包括P型衬底、N型埋层、N型阱；N型埋层左侧设有第一P阱，N型埋层右侧设有第二P阱；第一P阱内设有第一P+注入区、第一N+注入区和第一浮空P+注入区，第一P阱和第二P阱之间设有N型阱，N型阱中间位置设有中间N+注入区，同时，第一P型浅阱PB和第二P型浅阱PB分别设置横跨在第一P阱、N型阱和第二P阱中间位置；N型埋层的上方的左侧和右侧分别设有第一高压N阱和第二高压N阱；第一P+注入区、第一N+注入区连接在一起并作为器件的阳极，第二P+注入区、第二N+注入区连接在一起并作为器件的阴极，如此，该器件能够有效地保护芯片的核心电路，远离闩锁的风险。

本发明授权低触发高维持电压的双向可控硅静电防护器件及制作方法在权利要求书中公布了：1.一种低触发高维持电压的双向可控硅静电防护器件，其特征在于，包括P型衬底；所述P型衬底中设有N型埋层；所述N型埋层上方中间为N型阱；所述N型埋层左侧设有第一P阱，所述N型埋层右侧设有第二P阱；所述第一P阱内设有第一P+注入区、第一N+注入区和第一浮空P+注入区，其中，所述第一P+注入区位于所述第一P阱左侧，所述第一N+注入区位于所述第一P+注入区右侧并贴合在一起，所述第一浮空P+注入区位于所述第一N+注入区的右侧； 所述第二P阱内设有第二P+注入区、第二N+注入区和第二浮空P+注入区，其中，所述第二P+注入区位于所述第二P阱右侧，所述第二N+注入区位于所述第二P+注入区左侧并贴合在一起，所述第二浮空P+注入区位于所述第二N+注入区的左侧； 所述第一P阱和所述第二P阱之间设有N型阱，所述N型阱中间位置设有中间N+注入区，同时，第一P型浅阱PB和第二P型浅阱PB分别设置横跨在所述第一P阱、所述N型阱和所述第二P阱中间位置； 所述N型埋层的上方的左侧和右侧分别设有第一高压N阱和第二高压N阱； 所述第一P+注入区、所述第一N+注入区连接在一起并作为器件的阳极，所述第二P+注入区、所述第二N+注入区连接在一起并作为器件的阴极；所述第一P+注入区左侧与所述P型衬底左侧边缘之间设有第一场氧隔离区，所述第一P+注入区右侧与所述第一N+注入区左侧连接，所述第一N+注入区右侧与所述第一浮空P+注入区左侧设有第二场氧隔离区；所述第二P+注入区左侧与所述第二N+注入区右侧连接，所述第二N+注入区左侧与所述第二浮空P+注入区右侧设有第五场氧隔离区；所述第一浮空P+注入区右侧与所述第一P型浅阱PB左侧设有第三场氧隔离区；所述第二浮空P+注入区左侧与所述第二P型浅阱PB右侧设有第四场氧隔离区；所述第二P+注入区右侧与所述P型衬底右侧边缘之间设有第六场氧隔离区；当高压ESD脉冲到达器件的阳极时，器件阴极接地电位，ESD电流沿着所述P+注入区流入所述第一P阱、所述第一P型浅阱PB和所述中间N+注入区组成的顺偏二极管。

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