上海华虹宏力半导体制造有限公司苗彬彬获国家专利权
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龙图腾网获悉上海华虹宏力半导体制造有限公司申请的专利一种栅驱动电路的高压隔离环结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115498014B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210978642.3，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种栅驱动电路的高压隔离环结构是由苗彬彬;金锋;苏庆;蔡莹设计研发完成，并于2022-08-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种栅驱动电路的高压隔离环结构在说明书摘要公布了：本发明提供一种栅驱动电路的高压隔离环结构，包括高压场效应管、高耐压隔离环及两者之间的高压过渡区连接形成的闭环结构；闭环结构内部为高端电压区域，外部为低端电压区域；插入在高压场效应管和高端电压区域之间的P型屏蔽隔离环；嵌套在P型屏蔽隔离环上的自屏蔽隔离环；形成于P型屏蔽隔离环间的高压互连寄生电阻区，调节自屏蔽隔离环嵌入在P型屏蔽隔离环的位置以及两根P型屏蔽隔离环的间距可以调整高压互连寄生电阻区的寄生N‑epi电阻。本发明在高压场效应管和高端电压区域之间用P型屏蔽隔离环来实现两者完全隔离，然后在P型屏蔽隔离环上嵌套自屏蔽隔离环，实现部分区域全屏蔽隔离、部分区域自屏蔽隔离的半自屏蔽隔离结构。
本发明授权一种栅驱动电路的高压隔离环结构在权利要求书中公布了：1.一种栅驱动电路的高压隔离环结构，其特征在于，至少包括： 高压场效应管、高压隔离环及两者之间的高压过渡区连接形成的闭环结构；所述闭环结构内部为高端电压区域，外部为低端电压区域； 插入在所述高压场效应管和所述高端电压区域之间的内外嵌套布置的内外两根P型屏蔽隔离环； 在内P型屏蔽隔离环及外P型屏蔽隔离环上分别嵌套一自屏蔽隔离环； 形成于内外两根P型屏蔽隔离环间的高压互连寄生电阻区，调节所述自屏蔽隔离环嵌入在P型屏蔽隔离环的位置以及内外两根P型屏蔽隔离环的间距，从而调整所述高压互连寄生电阻区的寄生N-epi电阻。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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