北京大学深圳研究生院郑大伟获国家专利权
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龙图腾网获悉北京大学深圳研究生院申请的专利一种肖特基二极管及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115295632B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210857220.0，技术领域涉及：H10D8/60；该发明授权一种肖特基二极管及其制造方法是由郑大伟;陆磊;张盛东;王云萍;严建花;蔡泽宇设计研发完成，并于2022-07-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种肖特基二极管及其制造方法在说明书摘要公布了：一种肖特基二极管及其制造方法，肖特基二极管包括第一金属层、半导体层、第二金属层、钝化层以及金属侧墙；第一金属层形成在衬底上，第一金属层为高功函数金属；半导体层形成在第一金属层上，或者半导体层部分形成在第一金属层上且部分形成在衬底上；金属侧墙与半导体层的侧壁接触，金属侧墙为高功函数金属，金属侧墙与半导体层之间形成肖特基接触；钝化层覆盖金属侧墙、半导体层以及第一金属层；第二金属层与半导体层之间形成欧姆接触，第二金属层为低功函数金属。通过在半导体层的侧壁上设置金属侧墙，利用金属侧墙与半导体层之间肖特基接触，将半导体层的侧壁耗尽，削弱边缘电场，从而降低反向加压时漏电的情况。
本发明授权一种肖特基二极管及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种肖特基二极管，其特征在于，包括：第一金属层2、半导体层3、第二金属层5、钝化层4以及金属侧墙6； 所述第一金属层2形成在衬底1上，所述第一金属层2为高功函数金属； 所述半导体层3形成在所述第一金属层2上，或者所述半导体层3部分形成在所述第一金属层2上且部分形成在所述衬底1上；所述半导体层3与所述第一金属层2之间形成肖特基接触； 所述金属侧墙6与所述半导体层3的侧壁31接触，所述金属侧墙6为高功函数金属，所述金属侧墙6与所述半导体层3之间形成肖特基接触； 所述钝化层4覆盖所述金属侧墙6、所述半导体层3以及第一金属层2； 所述第二金属层5贯通所述钝化层4，所述第二金属层5与所述半导体层3之间形成欧姆接触，所述第二金属层5为低功函数金属； 所述金属侧墙6的材料与所述第一金属层2的材料相同。
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