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龙图腾网获悉大连海事大学申请的专利一种高UIS雪崩耐量的功率VDMOSFET器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115295628B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211084593.5，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权一种高UIS雪崩耐量的功率VDMOSFET器件及其制备方法是由王颖;周建成;曹菲;包梦恬设计研发完成，并于2022-09-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高UIS雪崩耐量的功率VDMOSFET器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种高UIS雪崩耐量的功率VDMOSFET器件及其制备方法，该器件包括：N型衬底区；N型漂移区，在N型衬底区上方经一次外延形成；注入区，在N型漂移区上方两侧的沟槽内，包括P型轻浓度掺杂基区、P型高浓度掺杂区和N型高浓度源区，N型高浓度源区在P型轻浓度掺杂基区和P型高浓度掺杂区之间；功能区，在N型漂移区上方经多次外延形成，包括电流扩展层和P型高浓度屏蔽层；栅极区，在功能区的两侧，经高温氧化形成，包括栅极氧化层和栅极；源极和漏极，均经过器件金属化形成。本发明通过形成电流扩展层和P型高浓度屏蔽层可以在不牺牲器件基本电学特性的条件下，提高MOSFET器件的UIS雪崩耐量。

本发明授权一种高UIS雪崩耐量的功率VDMOSFET器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种高UIS雪崩耐量的功率VDMOSFET器件，其特征在于，包括: N型衬底区100; N型漂移区101，所述N型漂移区101在所述N型衬底区100的上表面; 注入区，所述注入区在所述N型漂移区101上方两侧的沟槽内，包括:P型轻浓度掺杂基区102、P型高浓度杂区103和N型高浓度源区104，所述N型高浓度源区104在所述P型轻浓度掺杂基区102和所述P型高浓度掺杂区103之间; 功能区，所述功能区在所述N型漂移区101上方的中间，包括:电流扩展层105和P型高浓度屏蔽层106，所述电流扩展层105在所述P型高浓度屏蔽层106的下方;二者的高度之和等于栅极区的高度;栅极区也设有两组,分别在两组注入区的上方,两组栅极区之间通过功能区相连,且上方连接源极201； 栅极区，所述栅极区在所述功能区的两侧，包括:栅极氧化层300和栅极400，所述栅极氧化层300包围所述栅极400的四周； 源极201，所述源极201连接在所述栅极区和功能区的上方;漏极200，所述漏极200连接在所述N型衬底区100的下方；所述功能区中电流扩展层105的厚度为0.6um，宽度为1.15μm，离子掺杂浓度范围为8x1016cm-3至2x1017cm-3； 所述P型高浓度屏蔽层106的厚度为0.3um，宽度为1.15um，离子掺杂浓度的峰值为1x1019cmm-3。

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