武汉大学何军获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉大学申请的专利一种二维层状-非层状范德华异质结构及制备方法、应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115274919B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210798016.6，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权一种二维层状-非层状范德华异质结构及制备方法、应用是由何军;尹蕾;程瑞清;姜健设计研发完成，并于2022-07-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种二维层状-非层状范德华异质结构及制备方法、应用在说明书摘要公布了：本申请涉及无机半导体技术领域，特别涉及一种二维层状‑非层状范德华异质结构及制备方法、应用。本申请提供的二维层状‑非层状范德华异质结构的制备方法包括以下步骤：采用机械剥离法或气相沉积法在基底上制备层状二硫化钼纳米片；采用气相沉积法在云母衬底上制备非层状硒化铅纳米片；在所述云母衬底上悬涂聚甲基丙烯酸甲酯并加热，形成聚甲基丙烯酸甲酯支撑膜；移去云母衬底，则硒化铅纳米片粘附在聚甲基丙烯酸甲酯支撑膜上；将硒化铅纳米片放置在二硫化钼纳米片上，利用有机溶剂溶解聚甲基丙烯酸甲酯支撑薄膜，即得到二维层状‑非层状范德华异质结构。
本发明授权一种二维层状-非层状范德华异质结构及制备方法、应用在权利要求书中公布了：1.一种二维层状-非层状范德华异质结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 采用机械剥离法或气相沉积法在基底上制备层状二硫化钼纳米片，层状二硫化钼纳米片的厚度为0.7-10nm； 采用气相沉积法在云母衬底上制备非层状硒化铅纳米片，非层状硒化铅纳米片的厚度为5-100nm； 在所述云母衬底上悬涂聚甲基丙烯酸甲酯并加热，形成聚甲基丙烯酸甲酯支撑膜； 移去云母衬底，则硒化铅纳米片粘附在聚甲基丙烯酸甲酯支撑膜上； 将硒化铅纳米片放置在二硫化钼纳米片上，利用有机溶剂溶解聚甲基丙烯酸甲酯支撑薄膜，即得到二维层状-非层状范德华异质结构，所述有机溶剂为丙酮或氯仿。
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