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龙图腾网获悉北京大学深圳研究生院申请的专利一种肖特基二极管及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115274864B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210872263.6，技术领域涉及：H10D8/60；该发明授权一种肖特基二极管及其制造方法是由郑大伟;陆磊;张盛东;王云萍;严建花;蔡泽宇设计研发完成，并于2022-07-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种肖特基二极管及其制造方法在说明书摘要公布了：一种肖特基二极管及其制造方法，肖特基二极管包括第一金属层、钝化层、半导体层以及第二金属层；第一金属层形成在衬底上；钝化层至少部分形成在第一金属层上，形成在第一金属层上的钝化层具有与第一金属层连接的成型斜面；半导体层至少部分形成在成型斜面上，半导体层具有高出成型斜面顶部的侧壁，侧壁位于第一金属层上方，钝化层将侧壁与第一金属层隔离；半导体层与第一金属层之间形成肖特基接触；第二金属层与半导体层之间形成欧姆接触。通过在钝化层的成型斜面上形成半导体层，保证半导体层与第一金属层接触的部位不采用刻蚀形成，采用刻蚀形成的侧壁与第一金属层之间被钝化层隔离开，从而杜绝侧壁产生的漏电问题。

本发明授权一种肖特基二极管及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种肖特基二极管，其特征在于，包括：第一金属层2、钝化层4、半导体层3以及第二金属层5； 所述第一金属层2形成在衬底1上，所述第一金属层2为高功函数金属； 所述钝化层4至少部分形成在所述第一金属层2上，形成在所述第一金属层2上的所述钝化层4具有与所述第一金属层2连接的成型斜面41； 所述半导体层3至少部分形成在所述成型斜面41上，所述半导体层3具有高出所述成型斜面41顶部的侧壁31，所述侧壁31位于所述第一金属层2上方，所述钝化层4将所述侧壁31与所述第一金属层2隔离；所述半导体层3与所述第一金属层2之间形成肖特基接触； 所述第二金属层5与所述半导体层3之间形成欧姆接触，所述第二金属层5为低功函数金属； 所述肖特基二极管为水平结构的肖特基二极管； 所述半导体层3部分形成在所述第一金属层2上、部分形成在所述衬底1上，且所述半导体层3至少部分形成在所述成型斜面41上； 所述第二金属层5远离所述第一金属层2设置在所述半导体层3的一侧。

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