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龙图腾网获悉丰非芯(上海)科技有限公司申请的专利一种电容器的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115241161B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210916400.1，技术领域涉及：H01L23/64；该发明授权一种电容器的形成方法是由辛春艳设计研发完成，并于2022-08-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种电容器的形成方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种电容器的形成方法，所述方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底中形成有若干沟槽，所述若干沟槽中以及所述半导体衬底表面依次形成有填满所述若干沟槽的第一电极层、第二电极层、第三电极层和第四电极层，相邻沟槽之间的第三电极层和第四电极层中形成有若干暴露所述第二电极层的第一开口；在所述第一开口暴露出的第二电极层中形成暴露所述第一电极层的第二开口，同时在所述第四电极层中形成暴露所述第三电极层的第三开口。本申请提供一种电容器的形成方法，通过一次光刻来刻蚀二层或多层电极层的方式和一次光刻来刻蚀单层电极层方式的组合，可以减少光刻工艺的次数但对所有电极层实现连接，简化工艺，节约成本。

本发明授权一种电容器的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种电容器的形成方法，其特征在于，包括： 提供半导体衬底，所述半导体衬底中形成有若干沟槽，所述若干沟槽中以及所述半导体衬底表面依次形成有填满所述若干沟槽的第一电极层、第二电极层、第三电极层和第四电极层； 在所述第四电极层表面形成图案化的第一光阻层，所述图案化的第一光阻层定义第一开口的位置，以所述图案化的第一光阻层为掩膜刻蚀所述第四电极层和所述第三电极层形成所述第一开口，其中，所述第一开口贯穿相邻沟槽之间的第三电极层和第四电极层并暴露所述第二电极层的表面，所述第一开口的位置靠近所述相邻沟槽中的一个； 去除所述图案化的第一光阻层； 在所述第一开口暴露出的第二电极层表面以及所述第四电极层表面形成图案化的第二光阻层，所述图案化的第二光阻层定义第二开口和第三开口的位置，以所述图案化的第二光阻层为掩膜同时刻蚀所述第二电极层和所述第四电极层形成所述第二开口和第三开口，其中，所述第二开口贯穿所述第一开口暴露出的部分第二电极层并暴露所述第一电极层，所述第三开口贯穿部分所述第四电极层并暴露所述第三电极层； 去除所述图案化的第二光阻层； 在所述半导体衬底上形成覆盖所述第一电极层、第二电极层、第三电极层和第四电极层的介质层； 在所述介质层中形成贯穿所述介质层且分别电连接所述第一电极层、第二电极层、第三电极层和第四电极层的接触结构。

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