上海华虹宏力半导体制造有限公司张博获国家专利权
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龙图腾网获悉上海华虹宏力半导体制造有限公司申请的专利双极型晶体管的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115241064B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210984246.1，技术领域涉及：H10D10/01；该发明授权双极型晶体管的制造方法是由张博;杨新杰;张晗;金锋;杨继业设计研发完成，并于2022-08-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本双极型晶体管的制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种双极型晶体管的制造方法，包括：步骤一、在半导体衬底的选定区域中进行第一导电类型的基区注入形成第一掺杂区，所述第一掺杂区用于形成基区；基区注入具有第一注入剂量，在第一注入剂量确定的条件下，根据Beta系数的目标值来设定第一注入电流并使Beta系数满足要求。步骤二、在半导体衬底的选定区域形成第二导电类型掺杂的集电区。步骤三、在第一掺杂区的选定区域的表面形成第二导电类型掺杂的发射区，基区由位于集电区和发射区之间的所述第一掺杂区组成。本发明能提升器件的Beta系数。
本发明授权双极型晶体管的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种双极型晶体管的制造方法，其特征在于，包括如下步骤： 步骤一、在半导体衬底的选定区域中进行第一导电类型的基区注入形成第一掺杂区，所述第一掺杂区用于形成基区；所述基区注入具有第一注入剂量，在所述第一注入剂量确定的条件下，根据Beta系数的目标值来设定第一注入电流并使所述Beta系数满足要求，包括：所述第一注入剂量为第一注入电流和第一注入时间的乘积，通过增加所述第一注入电流来减少所述第一注入时间并从而减少所述第一掺杂区在所述基区注入过程中所受到的热过程、所述第一掺杂区的杂质扩散距离和厚度，使Beta系数增加到目标值之上； 步骤二、在所述半导体衬底的选定区域形成第二导电类型掺杂的集电区； 步骤三、在所述第一掺杂区的选定区域的表面形成第二导电类型掺杂的发射区，所述基区由位于所述集电区和所述发射区之间的所述第一掺杂区组成。
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