东莞市中晶半导体科技有限公司卢敬权获国家专利权
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龙图腾网获悉东莞市中晶半导体科技有限公司申请的专利一种LED芯片的制备方法及LED芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115172567B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210821397.5，技术领域涉及：H10H20/851；该发明授权一种LED芯片的制备方法及LED芯片是由卢敬权;殷淑仪;庄文荣设计研发完成，并于2022-07-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种LED芯片的制备方法及LED芯片在说明书摘要公布了：本发明涉及LED芯片制备技术领域，公开了一种LED芯片的制备方法及LED芯片。制备方法包括：提供一LED晶圆，所述LED晶圆包括生长衬底、发光结构和电极层；提供一支撑衬底；将所述电极层键合至所述支撑衬底；去除所述生长衬底，使所述发光结构得以裸露；提供一色转换结构；将所述色转换结构键合至所述发光结构上；去除所述支撑衬底，形成LED芯片。本发明将色转换结构与LED晶圆的发光结构相键合，使得最终得到的LED具备色转换功能，将所得的LED芯片替代现有的红光LED芯片以应用于小间距或微间距LED显示屏中，省去了制备倒装红光LED芯片时复杂的工艺，有效地提高了生产良率并降低成本。同时，本发明所制得的LED可靠性高，能够满足应用需求。
本发明授权一种LED芯片的制备方法及LED芯片在权利要求书中公布了：1.一种LED芯片的制备方法，其特征在于，包括： 提供一LED晶圆，所述LED晶圆包括生长衬底、发光结构和电极层； 提供一支撑衬底； 将所述电极层键合至所述支撑衬底； 去除所述生长衬底，使所述发光结构得以裸露； 提供一色转换结构； 将所述色转换结构键合至所述发光结构上； 去除所述支撑衬底，形成LED芯片； 所述提供一色转换结构，包括： 提供一透明衬底，在所述透明衬底上形成具有多个凹孔的多孔结构层，在所述凹孔内填充有色转换材料； 所述多孔结构层的材质为氮化镓，且所述多孔结构通过电化学腐蚀氮化镓结构层而形成，所述氮化镓结构层为n型掺杂层； 所述生长衬底为硅衬底； 所述透明衬底的材质为蓝宝石或碳化硅，所述多孔结构层的材质为氮化镓； 所述去除所述生长衬底，包括： 使用湿法腐蚀工艺去除所述生长衬底。
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