上海华力微电子有限公司谈嘉慧获国家专利权
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龙图腾网获悉上海华力微电子有限公司申请的专利一种闪存器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115172376B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210906188.0，技术领域涉及：H10B41/30；该发明授权一种闪存器件及其制备方法是由谈嘉慧;彭宇飞;钱俊设计研发完成，并于2022-07-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种闪存器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种闪存器件及其制备方法，所述衬底内具有沿第二方向分布的有源区，每个所述有源区中均包括沿所述第一方向交替排布的源区和漏区；若干栅极结构，沿所述第一方向分布在衬底上，位于所述源区和所述漏区之间；介质层，覆盖所述栅极结构及所述衬底；若干源区插塞，沿所述第二方向延伸且沿所述第一方向分布，每个所述源区插塞均位于若干所述源区上并与对应的若干所述源区电性连接；若干漏区插塞，与对应的所述漏区电性连接。通过所述源区插塞将若干所述源区电性连接，以构成所述闪存器件的共源区结构，减小所述闪存器件的尺寸；同时，条状的所述源区插塞减小了所述源区插塞的制备难度。
本发明授权一种闪存器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种闪存器件，其特征在于，包括： 衬底，所述衬底内具有沿第一方向延伸且沿第二方向分布的有源区，相邻的所述有源区通过浅槽隔离结构隔离，每个所述有源区中均包括沿所述第一方向交替排布的源区和漏区； 若干栅极结构，位于所述衬底上，沿所述第二方向延伸且沿所述第一方向分布，每个所述栅极结构均位于所述源区和所述漏区之间； 介质层，覆盖所述栅极结构及所述衬底； 若干源区插塞，位于所述介质层内，沿所述第二方向延伸且沿所述第一方向分布，每个所述源区插塞均位于若干所述源区上并与对应的若干所述源区电性连接； 若干漏区插塞，位于所述介质层内，每个所述漏区插塞均位于一个所述漏区上并与对应的所述漏区电性连接； 导电层，位于所述浅槽隔离结构内且位于相邻的所述源区之间，所述导电层电性连接相邻的所述源区及对应的所述源区插塞。
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