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龙图腾网获悉三菱电机株式会社申请的专利半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115084255B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210238651.9，技术领域涉及：H10D12/00；该发明授权半导体装置是由西康一;曾根田真也设计研发完成，并于2022-03-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体装置在说明书摘要公布了：得到容易实现台面的微细化、闩锁耐量高的半导体装置。有源沟槽8从半导体衬底1的上表面起将发射极层6及基极层5贯通。哑沟槽9夹着有源沟槽而从半导体衬底1的上表面起将接触层7及基极层贯通。栅极沟槽电极10隔着栅极绝缘膜11形成于有源沟槽的内部。哑栅极沟槽电极12隔着栅极绝缘膜形成于哑沟槽的内部。填埋绝缘膜13在有源沟槽的内部形成于栅极沟槽电极之上，并且在哑沟槽的内部形成于哑栅极沟槽电极之上。填埋绝缘膜的上端比半导体衬底的上表面低。发射极电极14在半导体衬底的上表面及有源沟槽的内壁处与发射极层接触，在半导体衬底的上表面及哑沟槽的内壁处与接触层接触。

本发明授权半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其特征在于，具有： 半导体衬底，其具有彼此相对的上表面及下表面、在所述上表面与所述下表面之间形成的第一导电型的漂移层； 第二导电型的基极层，其形成于所述漂移层与所述上表面之间； 第一导电型的发射极层及第二导电型的接触层，它们形成于所述基极层与所述上表面之间； 有源沟槽，其从所述上表面起将所述发射极层及所述基极层贯通； 哑沟槽，其夹着所述有源沟槽，从所述上表面起将所述接触层及所述基极层贯通； 栅极沟槽电极，其隔着栅极绝缘膜而形成于所述有源沟槽的内部； 哑栅极沟槽电极，其隔着栅极绝缘膜而形成于所述哑沟槽的内部； 填埋绝缘膜，其在所述有源沟槽的内部形成于所述栅极沟槽电极之上并且在所述哑沟槽的内部形成于所述哑栅极沟槽电极之上，该填埋绝缘膜的上端比所述上表面低；以及 发射极电极，其在所述上表面及所述有源沟槽的内壁处与所述发射极层接触，在所述上表面及所述哑沟槽的内壁处与所述接触层接触， 所述半导体衬底在俯视观察时具有有源区域和配线区域， 在所述有源区域，在所述上表面形成有所述发射极电极， 在所述配线区域，在所述上表面隔着层间绝缘膜而形成有栅极电极，所述栅极沟槽电极经由所述层间绝缘膜的开口而与所述栅极电极连接， 所述栅极沟槽电极具有所述有源沟槽的内部的第1部分和宽度比所述第1部分宽的第2部分，该第2部分在所述配线区域的一部分处相比于所述上表面而向上凸出，经由所述开口而与所述栅极电极连接。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三菱电机株式会社，其通讯地址为：日本东京；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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