上海华力集成电路制造有限公司王伟获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉上海华力集成电路制造有限公司申请的专利提高LOD应力效应模型表征精确度的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115081380B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210597604.3，技术领域涉及：G06F30/392；该发明授权提高LOD应力效应模型表征精确度的方法是由王伟设计研发完成，并于2022-05-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本提高LOD应力效应模型表征精确度的方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种提高LOD应力效应模型表征精确度的方法，获取版图中晶体管栅极两侧边缘到STI隔离区边缘的第一、二尺寸，根据多组点数据建立线型的第一LOD应力模型，点数据的横坐标为第一尺寸的大小，纵坐标为不同第一尺寸对应晶体管的阈值电压，第一LOD应力模型由多组函数叠加而成；利用每组函数对应的幅度调整参数和尺寸的位置修正参数对第一LOD应力模型进行修正，得到第二LOD应力模型，使得第二LOD用力模型与点数据的匹配度高于第一LOD应力模型。本发明采用两组类高斯分布函数与一组类指数函数的组合函数结合不同区域的物理尺寸偏移以及模型参数优化来实现LOD应力效应模型的准确表征，使LOD应力模型能真实反映实际数据的变化趋势。
本发明授权提高LOD应力效应模型表征精确度的方法在权利要求书中公布了：1.一种提高LOD应力效应模型表征精确度的方法，其特征在于，至少包括： 步骤一、获取版图中晶体管栅极两侧边缘到STI隔离区边缘的第一尺寸和第二尺寸，根据多组点数据建立线型的第一LOD应力模型，所述点数据的横坐标为所述第一尺寸的大小，纵坐标为不同所述第一尺寸对应所述晶体管的阈值电压，所述第一LOD应力模型由包括第一高斯函数、第二高斯函数和指数函数的多组函数叠加而成； 步骤二、利用每组所述函数对应的幅度调整参数和位置修正参数对所述第一LOD应力模型进行修正，其中，所述位置修正参数包括用于调整所述函数位置的第一位置修正参数以及用于调整所述第一高斯函数和所述第二高斯函数形状的第二位置修正参数，所述第二位置修正参数基于所述第一尺寸、所述第二尺寸的对数函数进行计算，得到第二LOD应力模型，使得所述第二LOD应力模型与所述点数据的匹配度高于所述第一LOD应力模型。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人上海华力集成电路制造有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区良腾路6号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励