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龙图腾网获悉株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社申请的专利半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115050833B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110953890.8，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权半导体装置是由小林勇介;井口智明;雁木比吕;根本宏树;牛流章弘;下条亮平;可知刚;西胁达也设计研发完成，并于2021-08-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体装置在说明书摘要公布了：本发明提供能够提高特性的半导体装置。根据实施方式，半导体装置包含第一电极、第二电极、第三电极、第一导电部件及第一绝缘部件。从第一电极向第二电极的方向沿着第一方向。第一绝缘部件包含第一位置、第二位置及第三位置。从第一导电部件端部向第一位置的方向沿着第二方向。第一位置在第一方向上位于第一电极与第二位置之间。第三位置在第一方向上位于第一位置与第二位置之间。第一元素包含从由氢、氦、氩和碳构成的组中选择的至少1种。第三位置处的第一元素的第三浓度高于第一位置处的第一元素的第一浓度，且高于第二位置处的第一元素的第二浓度。

本发明授权半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，具备：第一电极；第二电极，从所述第一电极向所述第二电极的方向沿着第一方向；第三电极；第一导电部件，所述第一导电部件包含第一导电部件端部及第一导电部件其他端部，所述第一导电部件端部在所述第一方向上位于所述第一电极与所述第一导电部件其他端部之间，所述第一导电部件端部的所述第一方向上的位置位于所述第一电极的所述第一方向上的位置与所述第三电极的所述第一方向上的位置之间，所述第一导电部件能够与所述第二电极及所述第三电极中的一方电连接；半导体部件，所述半导体部件包含第一导电型的第一半导体区域、第二导电型的第二半导体区域及所述第一导电型的第三半导体区域；以及第一绝缘部件，所述第一绝缘部件的至少一部分位于所述半导体部件与所述第三电极之间、及所述半导体部件与所述第一导电部件之间，所述第一绝缘部件的至少一部分包含硅、氧及第一元素，所述第一元素包含从由氢、氦、氩及碳构成的组中选择的至少1种，所述第一绝缘部件包含第一位置、第二位置及第三位置，从所述第一导电部件端部向所述第一位置的方向沿着从所述第三电极的一部分向所述第二半导体区域的第二方向，所述第一位置在所述第一方向上位于所述第一电极与所述第二位置之间，所述第三位置在所述第一方向上位于所述第一位置与所述第二位置之间，所述第二位置整体在所述第一方向上位于所述第三位置与所述第三电极之间，从所述第一导电部件的一部分向所述第一位置的方向沿着所述第二方向，所述第三位置处的所述第一元素的第三浓度高于所述第一位置处的所述第一元素的第一浓度，且高于所述第二位置处的所述第一元素的第二浓度，在所述半导体部件中，所述第一半导体区域包含第一部分区域及第二部分区域，所述第一部分区域在所述第一方向上位于所述第一电极与所述第二电极之间，所述第二半导体区域在所述第一方向上位于所述第一部分区域与所述第三半导体区域之间，所述第三半导体区域与所述第二电极电连接，所述第二方向与所述第一方向交叉，从所述第三电极的其他的一部分向所述第一部分区域的一部分的方向沿着所述第二方向，从所述第二部分区域向所述第一导电部件的方向沿着所述第一方向，从所述第一导电部件向所述第一部分区域的方向沿着所述第二方向，所述第三浓度是所述第一绝缘部件中的所述第一元素的最高浓度，所述第一位置与所述第三位置之间的沿着所述第一方向的第一距离，超过所述第二部分区域与所述第一导电部件端部之间的沿着所述第一方向的距离的0倍且为3倍以下。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社，其通讯地址为：日本东京都；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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