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龙图腾网获悉甬矽半导体(宁波)有限公司申请的专利凸块封装结构和凸块封装结构的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115036227B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210805360.3，技术领域涉及：H01L21/60；该发明授权凸块封装结构和凸块封装结构的制备方法是由何正鸿;胡彪设计研发完成，并于2022-07-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本凸块封装结构和凸块封装结构的制备方法在说明书摘要公布了：本发明的实施例提供了一种凸块封装结构和凸块封装结构的制备方法，涉及半导体封装技术领域，该凸块封装结构包括晶圆、保护层、基底导电层、组合导电层、导电凸柱和焊帽。通过设置石墨烯材料的基底导电层作为导电凸柱的基底结构，可以更好的避免铜柱底部UBM层变形受力，起到缓冲作用。同时，石墨烯材料的基底导电层覆盖保护开口，利用多层石墨烯良好的疏水性和稳定性，在进行微蚀刻工艺时，能够避免底部金属层产生的底切问题。利用多层石墨烯结构局部良好的稳定性、导电性以及散热性，从而进一步提升整体连接结构的导电导热性能。并且通过设置多个弧形槽，有效地提升了基底导电层与组合导电层之间的接触面积，从而提升了结合力。

本发明授权凸块封装结构和凸块封装结构的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种凸块封装结构，其特征在于，包括： 晶圆，所述晶圆的正面设置有焊盘； 设置在晶圆的正面的保护层，所述保护层上设置有与所述焊盘对应的保护开口； 设置在所述保护开口内，并覆盖所述保护开口的基底导电层； 设置在所述基底导电层上的组合导电层； 设置在所述组合导电层上的导电凸柱； 以及，设置在所述导电凸柱上的焊帽； 其中，所述基底导电层包括多层石墨烯材料，且所述基底导电层远离所述晶圆的一侧设置有多个第一弧形槽，多个所述第一弧形槽间隔设置，所述组合导电层部分容置在多个所述第一弧形槽内； 所述基底导电层的边缘向外延伸至所述保护层的表面，并呈弧形，以覆盖所述保护开口的边缘，并防止所述保护开口的边缘处残留蚀刻液； 所述组合导电层包括粘接层、阻挡层和润湿层，所述粘接层覆盖在所述基底导电层上，并部分容置在所述多个所述第一弧形槽内，所述阻挡层设置在所述粘接层上，所述润湿层设置在所述阻挡层上，所述导电凸柱设置在所述润湿层上；所述阻挡层远离所述晶圆的一侧表面设置有多个第二弧形槽，所述第二弧形槽并未贯穿所述阻挡层，多个所述第二弧形槽间隔设置，所述润湿层容置在多个所述第二弧形槽内。

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