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龙图腾网获悉上海华力集成电路制造有限公司申请的专利一种FinFET器件多晶硅切割的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115020235B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210572135.X，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权一种FinFET器件多晶硅切割的制备方法是由雷海波;岳庆文设计研发完成，并于2022-05-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种FinFET器件多晶硅切割的制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种FinFET器件多晶硅切割的制备方法，半导体结构包括衬底、位于衬底上沿横向间隔排列的多个Fin结构、氧化层及其上沿纵向间隔排列的多个多晶硅条形结构、多晶硅条形结构之间填充的覆盖Fin结构的层间介质层；在半导体结构上表面覆盖一硬掩膜层；利用第一光罩光刻定义出多个第一多晶硅切割区域；按定义出的第一多晶硅切割区域刻蚀硬掩膜层至露出多晶硅条形结构上表面为止；利用第二光罩光刻定义出多个第二多晶硅切割区域；按定义出的第二多晶硅切割区域刻蚀硬掩膜层至露出多晶硅条形结构上表面为止；按照硬掩膜层的形状继续向下刻蚀半至去除多晶硅条形结构的高度为300埃停止刻蚀形成沟槽；刻蚀去除沟槽内的多晶硅条形结构至露出衬底为止。

本发明授权一种FinFET器件多晶硅切割的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种FinFET器件多晶硅切割的制备方法，其特征在于，至少包括： 步骤一、提供半导体结构，所述半导体结构包括衬底、位于所述衬底上沿横向间隔排列的多个Fin结构、所述衬底上以及所述Fin结构之间覆盖的氧化层、所述氧化层上沿纵向间隔排列的多个多晶硅条形结构、所述多晶硅条形结构之间填充的覆盖所述Fin结构的层间介质层；所述多个Fin结构包括N型Fin结构和P型Fin结构； 步骤二、在所述半导体结构上表面覆盖一硬掩膜层； 步骤三、利用第一光罩光刻定义出多个第一多晶硅切割区域；每个所述第一多晶硅切割区域位于相邻两个所述N型Fin结构之间的中间位置； 步骤四、按照定义出的所述多个第一多晶硅切割区域刻蚀所述硬掩膜层至露出多晶硅条形结构上表面为止； 步骤五、利用第二光罩光刻定义出多个第二多晶硅切割区域；每个所述第二多晶硅切割区域位于相邻两个所述N型Fin结构与P型Fin结构之间； 步骤六、按照定义出的所述多个第二多晶硅切割区域刻蚀所述硬掩膜层至露出多晶硅条形结构上表面为止； 步骤七、按照步骤四和步骤六刻蚀出的所述硬掩膜层的形状继续向下刻蚀所述半导体结构，形成沟槽； 步骤八、刻蚀去除所述沟槽内的所述多晶硅条形结构至露出所述衬底为止。

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