戴森技术有限公司M.伦德尔获国家专利权
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龙图腾网获悉戴森技术有限公司申请的专利在基板上沉积材料的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114930495B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080092535.X，技术领域涉及：H01J37/34；该发明授权在基板上沉积材料的方法是由M.伦德尔;R.格鲁亚设计研发完成，并于2020-11-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本在基板上沉积材料的方法在说明书摘要公布了：提供了一种在基板上沉积材料的方法，该方法包括：远离适于等离子体溅射的一个或多个溅射靶产生等离子体，其中，所述一个或多个靶的至少一个不同区域包含碱金属、碱土金属、含碱金属的化合物、含碱土金属的化合物或其组合；使用等离子体从所述一个或多个靶产生溅射材料；和在基板上沉积溅射材料，所述靶和基板之间的工作距离在系统的理论平均自由程的+‑50％范围内。
本发明授权在基板上沉积材料的方法在权利要求书中公布了：1.一种在基板上沉积材料的方法，所述方法包括： 远离适于等离子体溅射的多于一个溅射靶产生等离子体，其中，所述多于一个靶的至少一个不同区域包含碱金属、碱土金属、含碱金属的化合物、含碱土金属的化合物或其组合； 将等离子体限制在所述多于一个靶； 使用限制的等离子体从所述多于一个靶产生溅射材料；以及 在所述基板上沉积溅射材料，所述靶和基板之间的工作距离在系统的理论平均自由程的+-50％范围内， 在滚筒上移动基板，其中，该滚筒具有旋转中心，且所述多于一个靶以比滚筒慢的围绕该旋转中心的角速度移动， 其中，所述多于一个靶包括第一靶和第二靶，第一靶相对于第二靶成角度。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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