南京大学万青获国家专利权
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龙图腾网获悉南京大学申请的专利一种具有泄漏-积分-发射功能的人工神经元获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114792130B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210478148.0，技术领域涉及：G06N3/065；该发明授权一种具有泄漏-积分-发射功能的人工神经元是由万青;毛惠五设计研发完成，并于2022-05-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种具有泄漏-积分-发射功能的人工神经元在说明书摘要公布了：本发明介绍了一种具有泄漏‑积分‑发射功能的人工神经元，其包括膜电位积累单元、泄放单元和脉冲产生单元；所述膜电位积累单元与泄放单元相连，所述脉冲产生单元同时与膜电位积累单元、泄放单元相连，所述膜电位积累单元为晶体管；其源端分别与脉冲产生单元的输入端和泄放单元的定值电阻相连，栅极与泄放单元的定值电阻相连，漏端与一个恒定的电压或脉冲端相连；所述脉冲产生单元为易失性阈值转变忆阻器；所述泄放单元由一个定值电阻一端分别连接晶体管的栅极和源极组成；本申请设计的人工神经元实现了模拟脉冲的产生；实现电子元件与CMOS工艺兼容，能够在低电源电压下工作的同时，极大的降低了电路的制备成本，简化集成难度，降低占用面积。
本发明授权一种具有泄漏-积分-发射功能的人工神经元在权利要求书中公布了：1.一种具有泄漏-积分-发射功能的人工神经元，其特征在于，其包括膜电位积累单元、泄放单元和脉冲产生单元； 所述膜电位积累单元与泄放单元相连； 所述脉冲产生单元同时与膜电位积累单元、泄放单元相连； 所述膜电位积累单元为晶体管，所述晶体管为具有双电层效应且能进行塑性调节的晶体管或具备多个侧栅电极结构的多栅晶体管； 所述晶体管的源端作为输出端与脉冲产生单元的输入端相连； 所述晶体管的栅极与泄放单元的定值电阻相连； 所述晶体管的漏端与一个恒定的电压或者恒定的脉冲端VDD相连； 所述泄放单元由一个定值电阻和膜电位积累单元的栅极和源极组成； 所述定值电阻一端分别与膜电位积累单元的栅极和源极连接； 所述定值电阻另一端与一个恒定的电压或者恒定的脉冲端Vin相连； 所述侧栅电极作为神经元树突上的突触前输入端。
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