福建省晋华集成电路有限公司吕林雪获国家专利权
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龙图腾网获悉福建省晋华集成电路有限公司申请的专利半导体结构及其制备方法、阻值异常的检测方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114759014B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210397239.1，技术领域涉及：H01L23/544；该发明授权半导体结构及其制备方法、阻值异常的检测方法是由吕林雪;苏超华;刘伟浓;张钦福设计研发完成，并于2022-04-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制备方法、阻值异常的检测方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种半导体结构及其制备方法、阻值异常的检测方法。在本发明提供的半导体结构中，利用衬底内的第三导电层与第一导电层连接，并使第三导电层延伸出，从而可将延伸出的第三导电层和第二导电层分别连接至第一信号端和第二信号端，使得检测过程中第一导电层和第二导电层是以串联方式连接，此时，当第一导电层和第二导电层中的任一出现电阻异常时均能够以等同幅度反映于串联电阻，而能够被检测出，提高了阻值异常的检测灵敏度。
本发明授权半导体结构及其制备方法、阻值异常的检测方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 第一导电层和第二导电层，堆叠设置在一衬底的表面上； 第三导电层，形成在所述衬底的一凹槽内，所述第三导电层位于所述第一导电层的端部下方并和所述第一导电层连接，所述第三导电层还延伸出所述第一导电层； 其中，所述第三导电层延伸出的部分用于连接第一信号端，所述第二导电层用于连接第二信号端；以及， 顶部遮盖层，覆盖所述第二导电层； 侧墙，覆盖所述第一导电层、第二导电层、顶部遮盖层的侧壁； 阻挡层，所述阻挡层部分覆盖所述第三导电层，并使所述第三导电层未覆盖有阻挡层的部分连接所述第一导电层； 隔离结构，覆盖所述第三导电层的底面，以及覆盖所述第一导电层未与第三导电层接触的底面，且所述第三导电层形成在所述隔离结构中。
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