中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司金吉松获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114725058B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110009020.5，技术领域涉及：H01L23/522；该发明授权半导体结构及其形成方法是由金吉松设计研发完成，并于2021-01-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括：晶圆，包括衬底和位于衬底内的掩埋电源轨；通孔，位于晶圆背面的衬底中且暴露出掩埋电源轨；电容结构，位于通孔内，包括位于通孔的底部和侧壁上的第一电极、与第一电极侧壁相对设置的第二电极、以及位于第一电极和第二电极之间的电容介质层，第一电极与掩埋电源轨相接触；第一电源线，位于晶圆的背面上且与第一电极电连接；第二电源线，位于晶圆的背面上且与第二电极电连接。电容结构位于通孔内，能够增大单位面积上的电容密度和电容值，有利于提高电容结构对供电电源的滤波效果，且第一电极与掩埋电源轨相接触，通过第一电极使第一电源线能够对掩埋电源轨进行供电，相应与背面配电工艺兼容。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 晶圆，包括相对的正面和背面，所述晶圆包括衬底和位于所述衬底内的掩埋电源轨，所述衬底的底面为所述背面； 通孔，位于所述晶圆背面的衬底中且暴露出所述掩埋电源轨； 电容结构，位于所述通孔内，包括位于所述通孔的底部和侧壁上的第一电极、与所述第一电极侧壁相对设置的第二电极、以及位于所述第一电极和第二电极之间的电容介质层，所述第一电极与所述掩埋电源轨相接触； 第一电源线，位于所述晶圆的背面上且与所述第一电极电连接； 第二电源线，位于所述晶圆的背面上且与第二电极电连接。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区张江路18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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