TCL科技集团股份有限公司郭煜林获国家专利权
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龙图腾网获悉TCL科技集团股份有限公司申请的专利一种纳米材料、发光二极管器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114695685B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011588908.0，技术领域涉及：H10K50/16；该发明授权一种纳米材料、发光二极管器件及其制备方法是由郭煜林;吴龙佳;张天朔;李俊杰设计研发完成，并于2020-12-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种纳米材料、发光二极管器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种纳米材料、发光二极管器件及其制备方法，其中所述纳米材料包括ZnO纳米颗粒，以及包覆在所述ZnO纳米颗粒表面的In2O3壳层。本发明通过在ZnO纳米颗粒表面包覆In2O3壳层，形成ZnO@In2O3核壳结构，即制得纳米材料。本发明以宽带隙的In2O3作为壳层包覆带隙相对较窄的半导体ZnO纳米颗粒，可有效钝化ZnO纳米颗粒表面，使其表面缺陷减少，缓解其晶格失配，同时还可有效阻挡空穴从发光层传输至阴极，提高电子和空穴在发光层的复合效率，从而提升发光器件的发光性能。
本发明授权一种纳米材料、发光二极管器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种纳米材料的制备方法，其特征在于，包括步骤： 提供ZnO纳米颗粒； 在所述ZnO纳米颗粒表面沉积In2O3壳层，将Au原子和或Au微团簇负载在所述In2O3壳层上，制得所述纳米材料。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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