浙江驰拓科技有限公司迟克群获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉浙江驰拓科技有限公司申请的专利自旋存储单元以及存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114695646B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011569976.2，技术领域涉及：H10B61/00；该发明授权自旋存储单元以及存储器是由迟克群;石以诺;李州;张文彪;孟皓设计研发完成，并于2020-12-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本自旋存储单元以及存储器在说明书摘要公布了：本发明提供一种自旋存储单元，包括：自旋轨道矩提供层；第一偏置层，形成在所述自旋轨道矩提供层上；所述第一偏置层用于提供第一偏置磁场；第二偏置层，形成在所述第一偏置层上；所述第二偏置层用于提供第二偏置磁场；磁隧道结叠层结构，形成在所述第二偏置层上；所述磁隧道结叠层结构的自由层和参考层的磁化方向与所述第一偏置层和所述第二偏置层的磁化方向垂直。本发明能够通过第一偏置层的磁化方向的改变，使偏置磁场具有两种不同的状态，两种状态下的偏置磁场分别用于STT‑MRAM降低读写功耗和提高非易失性。
本发明授权自旋存储单元以及存储器在权利要求书中公布了：1.一种自旋存储单元，其特征在于，包括： 自旋轨道矩提供层； 第一偏置层，形成在所述自旋轨道矩提供层上；所述第一偏置层用于提供第一偏置磁场； 第二偏置层，形成在所述第一偏置层上；所述第二偏置层用于提供第二偏置磁场； 磁隧道结叠层结构，形成在所述第二偏置层上； 所述磁隧道结叠层结构的自由层和参考层的磁化方向与所述第一偏置层和所述第二偏置层的磁化方向垂直； 其中，当第一偏置层和第二偏置层的磁化方向平行时，第一偏置层和第二偏置层的偏置磁场叠加，以使磁隧道结叠层结构的翻转效率提高；当第一偏置层和第二偏置层的磁化方向反平行时，第一偏置层的偏置磁场和第二偏置层的偏置磁场相互抵消，总的偏置磁场接近于0，以增强磁隧道结叠层结构的非易失性。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人浙江驰拓科技有限公司，其通讯地址为：311300 浙江省杭州市临安区青山湖街道励新路9号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励